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HXY20N02D

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HXY20N02D TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HXY20N02D

HXY20N02D概述

    HXY20N02D N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY20N02D 是由深圳华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这种电子元器件被广泛应用于电源开关、硬开关和高频电路以及不间断电源系统中。它采用先进的沟槽工艺,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(Gate Charge),非常适合需要高效能和高电流处理能力的应用场景。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):20V
    - 最大门极-源极电压 (VGS):+12V
    - 连续漏极电流 (ID):20A (TC=25°C), 12A (TC=100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):40A
    - 总功耗 (PD):5W (TC=25°C), 2W (TA=25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):150mJ
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C 到 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (Rthj-c):5°C/W
    - 热阻 (Rthj-a):62°C/W

    产品特点和优势


    HXY20N02D MOSFET 具有以下显著特点和优势:
    - 先进的沟槽技术:提供优秀的导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,提高整体效率。
    - 高电流处理能力:连续漏极电流可达20A,峰值脉冲电流可达40A,适用于高电流需求的应用。
    - 表面贴装封装:便于PCB布局设计和大规模生产。
    - 高可靠性:具备高雪崩耐受能力,可承受高达150mJ的单脉冲雪崩能量。

    应用案例和使用建议


    HXY20N02D MOSFET 可广泛应用于多种电力电子系统中,如电源开关、硬开关和高频电路及不间断电源系统。例如,在一个需要高效率电源转换的应用中,可以将HXY20N02D用于控制开关频率以减少损耗。建议在使用时注意散热管理,确保MOSFET处于安全工作温度范围内,避免长时间超过最大额定值使用。

    兼容性和支持


    HXY20N02D MOSFET 采用TO-252-2封装,符合行业标准,易于与其他电子元器件集成。深圳华宣阳电子有限公司提供详细的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除和定制化服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下运行时出现过热现象。
    - 解决方案:改善散热设计,增加外部散热片或强制风冷措施,确保MOSFET工作在规定的温度范围内。
    2. 问题:产品在启动过程中出现瞬时过电流。
    - 解决方案:在电路设计中添加保护电路,如限流电阻或软启动电路,限制启动时的电流峰值。
    3. 问题:产品在高频应用中表现不稳定。
    - 解决方案:检查并优化电路设计,降低寄生电容的影响,选择合适的栅极电阻值以改善开关特性。

    总结和推荐


    HXY20N02D N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适合多种电力电子应用。其卓越的导通电阻和低门极电荷特性使其在高电流和高频率应用中表现出色。虽然它不能应用于要求极高可靠性的场合(如生命维持系统),但在一般工业和商业应用中,它是一款值得推荐的产品。建议在设计相关电路时充分考虑其工作条件和散热要求,以确保最佳性能。

HXY20N02D厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY20N02D数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY20N02D HXY20N02D数据手册

HXY20N02D封装设计

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