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HXYG15H06S

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HXYG15H06S SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HXYG15H06S

HXYG15H06S概述

    HXYG15H06S 双N沟道SGT增强模式MOSFET技术手册解析

    产品简介


    HXYG15H06S 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的双N沟道SGT(超薄晶圆沟槽)增强模式MOSFET。该器件具备低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关以及出色的雪崩特性。由于采用先进的SGT技术,HXYG15H06S在消费者电子产品电源供应、电机控制、同步整流、隔离式直流变换器等应用中表现出色。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压 (VDS): 60V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏极电流 (ID): 15A
    - 脉冲漏极电流 (ID, pulse): 180A
    - 功率耗散 (PD): 60W
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 36mJ
    - 工作和存储温度范围 (Tstg,Tj): -55°C 至 150°C
    - 结温到外壳热阻 (RθJC): 2.5°C/W
    - 静态特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):在VGS=10V,ID=20A时,最大值为15mΩ;在VGS=4.5V,ID=10A时,最大值为20mΩ
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss): 在VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz时,最大值为930pF
    - 输出电容 (Coss): 最大值为230pF
    - 反向转移电容 (Crss): 最大值为8pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 在VDS=30V,ID=20A,VGS=10V时,最大值为22nC

    产品特点和优势


    - 低RDS(ON):低导通电阻有助于降低功耗并提高效率。
    - 快速开关:快速开关能力可以减少开关损耗,适用于高频应用。
    - 出色的雪崩特性:良好的雪崩耐受能力确保器件在极端条件下的稳定性。
    - 高可靠性:采用先进的SGT技术,确保长期稳定可靠运行。

    应用案例和使用建议


    HXYG15H06S 在多个应用中表现出色,尤其是在消费类电子设备的电源供应、电机控制、同步整流以及隔离式直流变换器中。具体应用如下:
    - 电源供应:通过降低RDS(ON),提高转换效率,减少热损耗。
    - 电机控制:快速开关特性可实现更精确的控制,减少能耗。
    - 同步整流:低RDS(ON)和高雪崩耐受能力使得整流更加高效稳定。
    使用建议:
    - 确保电路设计符合绝对最大额定值的要求,避免超过极限。
    - 使用合适的设计工具和仿真软件验证设计方案,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    HXYG15H06S 与标准SOP-8封装兼容,便于集成到现有设计中。制造商提供详尽的技术支持,包括但不限于数据表、应用指南和技术支持服务,帮助用户更好地理解和利用这款MOSFET的优势。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定正确的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据数据表中推荐的栅极电压范围(VGS=10V),选择合适的栅极驱动器以确保最佳性能。
    - 问题2:如何处理过高的功率损耗?
    - 解决方案:使用适当的散热措施,如增加散热片或使用热管,确保结温不超过最大额定值。
    - 问题3:如何选择合适的栅极电阻以优化开关速度?
    - 解决方案:参考数据表中的栅极电荷(Qg)和总栅极电荷(Qg)特性图,选择适合的栅极电阻值以优化开关速度。

    总结和推荐


    HXYG15H06S 双N沟道SGT增强模式MOSFET是一款高性能、可靠的器件,特别适合需要低功耗、高效率和快速响应的应用场合。其优越的雪崩特性和快速开关性能使其成为许多电力电子应用的理想选择。总体来看,HXYG15H06S 不仅在技术上领先,而且在市场竞争力方面也具有明显优势。因此,强烈推荐在上述应用中使用此款MOSFET。
    更多详细信息请参阅[官方网站](www.hxymos.com)获取最新的数据表和应用指南。

HXYG15H06S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXYG15H06S数据手册

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HXYG15H06S封装设计

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