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HM5121

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HM5121 SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HM5121

HM5121概述

    HM5121 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HM5121 是一款由华宣阳电子(深圳)有限公司生产的P沟道增强型MOSFET。这款产品采用先进的沟槽技术,具备出色的 RDS(ON)(导通电阻)、低门极电荷及在最低2.5V门极电压下即可操作的特点。HM5121 主要用于电池保护以及开关应用,广泛应用于电力管理等领域。

    2. 技术参数


    HM5121 的技术规格如下:
    - 额定电压 (VDS):-20V
    - 连续漏电流 (ID):-7A
    - 脉冲漏电流 (IDM):-18.8A
    - 最大功率耗散 (PD):1W
    - 最高结温 (TJ, TSTG):-55°C 到 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA):125°C/W
    电气特性:
    - 击穿电压 (BVDSS):-20V
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS = -4.5V 时为 26mΩ,VGS = -2.5V 时为 34mΩ
    - 门极阈值电压 (VGS(th)):-0.6V 至 -1.4V
    - 前向传输电导 (gfs):10S

    3. 产品特点和优势


    HM5121 的主要特点包括:
    - 高功率和电流处理能力:支持高达 -7A 的连续漏电流和 -18.8A 的脉冲漏电流。
    - 低导通电阻:在 VGS = -4.5V 时 RDS(ON) 小于 26mΩ,确保低损耗。
    - 宽工作温度范围:从 -55°C 到 150°C,适用于多种恶劣环境。
    - 小封装:采用 SOT23-3L 封装,体积小巧,适合紧凑设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:例如在电池保护电路中作为开关使用。
    - PWM 应用:作为负载开关,在变频器和逆变器中应用。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,应充分考虑散热问题,以确保在高电流环境下器件的稳定运行。
    - 在选择栅极驱动电路时,注意栅极电荷量 Qg 的影响,确保快速可靠的开关速度。

    5. 兼容性和支持


    HM5121 与市面上常见的 SOT23-3L 封装兼容,易于集成到现有的电路设计中。公司提供详细的安装指南和技术支持服务,以确保客户能够顺利地进行产品选型和应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方法 |

    | 开关过程中出现异常高温 | 确保正确散热,检查散热片的设计是否合理 |
    | 导通电阻偏高 | 检查电路是否正确连接,确认门极电压是否达到要求 |
    | 无法实现预期的电流输出 | 检查外部电路是否存在短路或断路现象 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,HM5121 是一款性能优异且具有高可靠性的 P 沟道增强型 MOSFET,特别适合应用于电力管理和电池保护等场合。其高功率处理能力和宽工作温度范围使其在各种复杂环境中表现出色。建议在需要高性能 MOSFET 的应用中优先考虑使用此产品。

HM5121厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HM5121数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HM5121 HM5121数据手册

HM5121封装设计

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