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HD6365

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HD6365 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HD6365

HD6365概述

    HD6365 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HD6365 是一款高性能的 P-Channel 增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用了先进的沟槽工艺技术。这款电子元器件适用于电池保护和开关应用领域,如锂离子电池保护、无线冲击保护和手机快速充电等。HD6365 的主要特点是极低的导通电阻(RDS(ON))和出色的门极电荷(Qg),能够在较低的门极电压(最低至 4.5V)下实现高效运行。

    技术参数


    以下列出了 HD6365 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDS(漏源电压) | -30 | V |
    | ID(连续漏电流) | -120 | A |
    | RDS(ON)(导通电阻) | <4.5 | mΩ |
    | 门极泄漏电流 (IGSS)| ±100 | nA |
    | 开启门限电压 (VGS(th)) | -1 至 -2.5 | V |
    | 转导率 (gFS) | 65 | S |
    | 输入电容 (Ciss) | 7000 | pF |
    | 输出电容 (Coss) | 820 | pF |
    | 反向转移电容 (Crss) | 540 | pF |
    | 门极电阻 (Rg) | 2.2 | Ω |
    | 关断延时时间 (td(off)) | 65 | ns |
    | 导通延迟时间 (td(on)) | 14 | ns |
    | 关断下降时间 (tf) | 37 | ns |
    | 总门极电荷 (Qg) | 130 | nC |
    | 门极-源极电荷 (Qgs) | 12 | nC |
    | 门极-漏极电荷 (Qgd) | 31 | nC |
    | 源极-漏极电流 (ISD)| -108 | A |
    | 反向恢复时间 (trr) | 30 | ns |
    | 反向恢复电荷 (Qrr) | 40 | nC |
    绝对最大额定值:
    - VDSS:-30V
    - VGSS:±20V
    - ID:-120A(TC=25℃);-80A(TC=100℃)
    - IDM:470A
    - EAS:580mJ
    - PD:100W(TC=25℃)
    - RθJC:1.4℃/W
    - TJ, TSTG:-55至+175℃

    产品特点和优势


    HD6365 的独特之处在于其采用的先进沟槽技术,能够提供极低的导通电阻(RDS(ON)),确保了高效率的电力传输。此外,它还支持低至 4.5V 的门极电压操作,使其在低电压应用中表现出色。这些特点使得 HD6365 在锂电池保护、无线冲击防护以及手机快充等应用中具有显著的优势,能够显著提升设备的整体性能和可靠性。

    应用案例和使用建议


    HD6365 在多个领域中都有广泛的应用。例如,在锂离子电池保护系统中,HD6365 能够有效地防止电池过热和短路,从而延长电池的使用寿命。在无线冲击保护方面,它可以有效吸收瞬态冲击电流,保护敏感电子元件。对于手机快速充电应用,HD6365 可以提供低损耗和高效的电力传输路径,提高充电速度和稳定性。
    使用建议:
    1. 热管理:由于 HD6365 的功率耗散较高,建议在设计电路时考虑适当的散热措施,如加装散热片或增加散热器。
    2. 门极驱动:为了确保最佳性能,应选择合适的门极电阻值(Rg),并尽量减小门极电容(Cg)的影响。
    3. 输入输出电容:适当增加输入输出电容(Ciss/Coss)可以改善高频响应性能。

    兼容性和支持


    HD6365 采用标准的 TO252-2L 封装,易于与其他电子元器件集成。制造商提供了详细的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性和热特性图表,确保用户能够顺利进行电路设计和测试。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的门极电阻值?
    - 解决方案:可以通过测量 MOSFET 的开关时间来优化门极电阻。一般建议在门极驱动电路中使用大约 2.2Ω 的电阻。

    2. 问题:如何避免热失控?
    - 解决方案:设计时应确保足够的散热措施,如使用散热片或增加散热器,并在电路中添加温度监控装置。

    总结和推荐


    总体而言,HD6365 是一款功能强大且可靠的产品,非常适合于锂离子电池保护、无线冲击保护和手机快充等领域。其低导通电阻、低门极电荷和宽泛的工作电压范围,使其在多种应用场景中都能表现出色。因此,强烈推荐在相关项目中使用此产品。然而,需要注意的是,用户应遵循制造商的安全建议,确保正确使用产品,并采取必要的安全措施,以防止可能的损坏或安全事故。

HD6365厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HD6365数据手册

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HD6365封装设计

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