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HN6390

产品分类:
产品描述:
供应商型号: HN6390 DFN5X6-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子  HN6390

HN6390概述

    HN6390 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    HN6390 是深圳华萱阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)推出的一款 N 沟道增强型 MOSFET。这种器件采用了先进的沟槽技术,提供了极低的导通电阻(RDS(ON)),低门极电荷,并且能在低至 4.5V 的门极电压下正常工作。适用于电池保护及开关电源等应用场合。

    技术参数


    以下是 HN6390 的主要技术参数:
    - 最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 连续漏极电流(ID):150A(TC=25℃),80A(TC=100℃)
    - 单脉冲雪崩电流(IAS):60A
    - 雪崩能量(EAS):180mJ
    - 热阻(RθJA):62℃/W
    - 储存温度范围(TSTG):-55℃到 150℃

    - 典型参数:
    - 导通电阻(RDS(ON)):在 VGS=10V 时 ≤ 2.4mΩ,在 VGS=4.5V 时 ≤ 3.2mΩ
    - 栅极阈值电压(VGS(th)):1.2V 到 2.5V
    - 总栅极电荷(Qg):约 50nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):约 1.7nC
    - 逆向传输电容(Crss):约 2pF
    - 输入电容(Ciss):约 15.8pF
    - 输出电容(Coss):约 4345pF

    产品特点和优势


    HN6390 具有以下特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):≤2.4mΩ(VGS=10V)和 ≤3.2mΩ(VGS=4.5V),使得它在开关应用中能有效降低功耗。
    - 高电流处理能力:最大连续漏极电流达 150A,适合高电流应用。
    - 低门极电荷:有助于减少驱动损耗,提高效率。
    - 宽泛的工作温度范围:适用于各种严苛环境下的应用。
    - 先进的沟槽技术:保证了高效、可靠的电气性能。

    应用案例和使用建议


    HN6390 主要应用于以下场景:
    - 电池保护:用于智能手机和平板电脑等便携式设备的电池管理。
    - 负载开关:例如笔记本电脑的电源管理系统。
    - 不间断电源系统:为关键负载提供稳定电力供应。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,确保考虑 HN6390 的漏源电压(VDS)额定值,防止过压损坏。
    - 对于高电流应用,需要合理布局 PCB,以减少寄生电感的影响,从而提高可靠性。

    兼容性和支持


    HN6390 封装形式为 DFN5X6-8L,易于安装且占用空间小。公司提供详细的用户指南和技术支持服务,帮助客户解决在使用过程中可能遇到的技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备启动时电流波动较大。
    - 解决方法:检查电路设计是否满足 HN6390 的输入电容(Ciss)要求,适当增加旁路电容,以稳定供电。
    2. 问题:器件发热严重。
    - 解决方法:优化散热设计,采用大尺寸散热片或加装风扇以降低器件工作温度。

    总结和推荐


    HN6390 凭借其出色的电气性能和广泛应用性,非常适合作为高性能开关电源的优选组件。其低导通电阻和高电流处理能力使其在电池保护和负载开关应用中表现卓越。强烈推荐在高可靠性应用中使用此器件,但需要注意设备安全设计,避免潜在风险。

HN6390厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HN6390数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HN6390 HN6390数据手册

HN6390封装设计

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15000+ ¥ 1.4018
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