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PJD50N10AL

产品分类:
产品描述:
供应商型号: PJD50N10AL
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
UDU SEMICONDUCTOR/佑德半导体  PJD50N10AL

PJD50N10AL概述

    # N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(PJD50N10AL)技术手册解析

    产品简介


    本产品为一款N沟道增强模式场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor),型号为PJD50N10AL。该晶体管具备低导通电阻(RDS(ON))和快速开关能力,广泛应用于电源转换、硬开关电路以及不间断电源系统中。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 符号 | 极限 | 单位 |

    | 漏源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏电流(TC=25℃) | ID | 50 | A |
    | 漏电流(TC=100℃) | ID | 28.5 | A |
    | 冲击漏电流 | IDM | 180 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | 81 | mJ |
    | 结温及存储温度范围 | TJ ,TSTG | -55~+150 | ℃ |
    热阻抗
    | 参数 | 符号 | 常态 | 极限 | 单位 |

    | 结至环境热阻 | RθJA | 15 | 20 | ℃/W |
    | 结至壳体热阻 | RθJC | 1.35 | 1.7 | ℃/W |
    电气特性(Tj=25℃)
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |

    | 击穿电压 | BVDSS | VGS= 0V, ID=250μA | 100 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | VDS=100V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
    | 栅体泄漏电流 | IGSS | VGS= ±20V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS= VGS, ID=250μA | 1 | 1.8 | 3 | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS= 10V, ID=20A | 14 | 17 | mΩ |
    VGS= 4.5V, ID=20A | 17 | 21.5 | mΩ |
    | 二极管正向电压 | VSD | IS=20A,VGS=0V | - | - | 1.3 | V |
    | 最大体二极管连续电流 | IS | 45 | A |
    | 栅极电阻 | RG | f= 1 MHz, Open drain | - | - | 1 | Ω |
    动态参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 典型 | 单位 |

    | 输入电容 | Ciss | VDS=50V,VGS=0V,f=1MHz | 1135 | pF |
    | 输出电容 | Coss | 399 | pF |
    | 反转转移电容 | Crss | 18 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | VGS=10V,VDS=50V,ID=25A | 16 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | 5.6 | nC |
    | 栅极电荷 | Qgd | 2.4 | nC |
    | 反向恢复电荷 | Qrr | IF=20A, di/dt=100A/us | 42 | nC |
    开关参数
    | 参数 | 符号 | 条件 | 典型 | 单位 |

    | 反向恢复时间 | trr | 39.8 | ns |
    | 导通延迟时间 | tD(on) | VGS=10V, VDD=50V,ID=25A | 39.2 | ns |
    | 上升时间 | tr | 11 | ns |
    | 关断延迟时间 | tD(off) | 53.2 | ns |
    | 下降时间 | tf | 15.8 | ns |

    产品特点和优势


    PJD50N10AL是一款具有卓越性能的N沟道场效应晶体管。其主要特点包括:
    - 低RDS(ON),仅17毫欧姆(VGS=10V时);
    - 极低的开关损耗,提高能效;
    - 卓越的稳定性和一致性,确保长期可靠运行;
    - 快速开关和软恢复特性,减少噪声干扰。
    这些特性使其在高频电源转换应用中表现优异,尤其是在硬开关和不间断电源系统中。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电源转换:适合高频电源转换应用,如开关电源、DC-DC转换器等。
    - 硬开关和高频率电路:用于实现高效能的硬开关电路,例如逆变器和整流器。
    - 不间断电源系统:适用于UPS系统,确保电力供应的持续稳定。
    使用建议
    - 散热设计:由于该器件在高温下仍需保持良好的性能,建议在设计时采用有效的散热措施,如安装散热片或使用水冷散热系统。
    - 栅极驱动:合理选择栅极驱动电阻,以确保快速且稳定的开关操作。
    - 并联使用:在需要更高电流输出的应用中,可以考虑将多个器件并联使用。

    兼容性和支持


    PJD50N10AL符合标准的TO-252封装,易于集成到现有的电路板设计中。UDUSemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户在实际应用中充分发挥其性能潜力。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何确定栅极电压?
    解决方案:确保栅极电压在10V左右,以获得最佳的导通电阻和开关速度。VGS过低会导致开关速度减慢,过高则可能损坏栅极。
    问题2:如何选择合适的散热措施?
    解决方案:根据应用条件和热耗散要求选择适当的散热方法。对于大功率应用,建议采用铜散热片或液冷系统来提高散热效率。
    问题3:如何避免栅极振荡?
    解决方案:通过合理的PCB布局和加装栅极电阻来抑制栅极振荡现象,确保稳定的开关操作。

    总结和推荐


    PJD50N10AL以其低导通电阻、高速开关和高可靠性成为高性能电源转换应用的理想选择。其独特的设计和卓越的电气特性使其在市场上具有较强的竞争力。经过全面测试,它能够在各种恶劣环境下表现出色。对于追求高性能电源解决方案的设计者和工程师来说,这款晶体管是一个值得信赖的选择。因此,我们强烈推荐此款产品。

PJD50N10AL厂商介绍

UDU SEMICONDUCTOR是一家半导体公司,专注于设计和制造高性能的半导体产品,以满足各种电子设备的需求。以下是对UDU SEMICONDUCTOR的简要介绍,包括其主营产品分类、应用领域和优势:

1. 主营产品分类:
- 模拟IC:包括电源管理IC、信号放大器、数据转换器等,用于处理模拟信号。
- 数字IC:包括微控制器、存储器、逻辑IC等,用于处理数字信号。
- 混合信号IC:结合模拟和数字信号处理功能,适用于需要同时处理两种信号的应用。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、智能家居设备等。
- 工业控制:用于自动化设备、机器人技术等。
- 汽车电子:包括车载信息娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:如基站、路由器、交换机等。

3. UDU SEMICONDUCTOR的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 性能卓越:产品在速度、功耗、集成度等方面具有竞争力。
- 定制服务:能够根据客户需求提供定制化的半导体解决方案。
- 质量可靠:严格的质量控制流程,确保产品的稳定性和可靠性。

UDU SEMICONDUCTOR致力于通过其高质量的半导体产品,为客户提供高效、可靠的解决方案,以支持他们在全球市场中的竞争力。

PJD50N10AL数据手册

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PJD50N10AL封装设计

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