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RU60P50L-VB

产品分类:
产品描述: 台积电流片,长电封测。P沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.76Vth(V) 封装:TO-252由于其高漏极电流和低导通电阻,该MOSFET适用于电源开关模块,如开关电源、逆变器和功率放大器。
供应商型号: RU60P50L-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  RU60P50L-VB

RU60P50L-VB参数

参数 值
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ(mΩ)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.7V
通道数量 -
长*宽*高 10.5mm*6.8mm*2.4mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

RU60P50L-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

RU60P50L-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 RU60P50L-VB RU60P50L-VB数据手册

RU60P50L-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.1725
100+ ¥ 2.9375
300+ ¥ 2.82
500+ ¥ 2.7025
库存: 40000
起订量: 10 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 31.72
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