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6R250P-VB TO263

产品分类:
产品描述:
供应商型号: 6R250P-VB TO263 TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体  6R250P-VB TO263

6R250P-VB TO263概述

    # N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 6R250P TO263

    产品简介


    N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 6R250P是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高效率开关电源设计。该MOSFET适用于多种应用场景,包括电信设备、照明系统、消费电子及工业控制等领域。通过采用超结技术,这款MOSFET不仅提高了耐压能力,还显著减少了导通电阻和栅极电荷,从而有效降低了功耗。
    主要功能
    - 高电压耐受能力:最高耐压可达650V。
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为0.19Ω。
    - 低栅极电荷(Qg):典型值为71nC,最大值为106nC。
    - 快速开关性能:得益于低反向恢复时间(trr)和反向恢复电荷(Qrr)。
    应用领域
    - 电信:服务器和电信电源。
    - 照明:高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡。
    - 消费和计算:ATX电源供应。
    - 工业:焊接设备和电池充电器。
    - 可再生能源:光伏逆变器。
    - 开关模式电源(SMPS)。

    技术参数


    以下是该产品的主要技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) 0.19 Ω |
    | 栅源电荷 | Qg 71 | 106 | nC |
    | 栅源电容 | Ciss 2322 pF |
    | 输出电容 | Coss 105
    | 反向传输电容 | Crss -4
    | 雪崩能量 | EAS 367 mJ |
    | 最大连续漏极电流 | ID 20 | 13 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 | IDM 60 | A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 +150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:0.19Ω的低RDS(on)使得该MOSFET能够在大电流下高效运行。
    - 快速开关性能:低trr和Qrr降低了开关损耗,提高了整体效率。
    - 低输入电容:低Ciss有助于减少驱动器所需的驱动功率,进一步降低功耗。
    市场竞争力
    - 在高效率应用中表现出色,例如开关电源和电池充电器。
    - 超结技术的应用提高了耐压能力和可靠性。
    - 广泛应用于多种高要求的应用领域,具有很强的市场竞争力。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电信电源:在服务器和电信设备的电源模块中使用,可以显著提高电源转换效率。
    - 照明系统:适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡,提供高效的驱动电路。
    - 太阳能逆变器:作为光伏逆变器的关键部件,该MOSFET能够处理高电压和高频信号。
    使用建议
    - 电路设计:确保电路设计中的布局优化,以减少寄生电感并提高热管理效果。
    - 驱动器选择:选择合适的栅极驱动器,以匹配MOSFET的快速开关性能。
    - 散热管理:确保良好的散热措施,以维持在高温环境下的稳定运行。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该MOSFET可以与各种标准的PCB布局和连接器兼容,适用于多种电源设计。
    - 由于其超高的耐压能力和低导通电阻,该MOSFET与市面上大多数电源设计和控制器兼容。
    支持
    - 技术支持:VBsemi提供专业的技术支持团队,帮助客户解决设计和使用过程中的技术问题。
    - 质量保证:该产品符合RoHS标准,符合欧洲环保要求,同时符合无卤素标准(JEDEC JS709A)。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过快 | 适当增加栅极电阻,减缓开关速度 |
    | 导通电阻过高 | 检查散热设计是否合理,确保良好散热 |
    | 开关过程中出现振荡 | 添加RC网络或其他阻尼电路进行滤波 |

    总结和推荐


    综合评估
    - 优点:高性能、高效率、广泛适用。
    - 缺点:较高的启动电流可能需要额外的保护措施。
    推荐
    总体而言,N-Channel 650V (D-S) Super Junction MOSFET 6R250P是一款优秀的功率场效应晶体管,适用于多种高要求的应用场景。无论是在高效率电源转换还是在复杂的工业控制系统中,这款MOSFET都能提供卓越的性能和稳定性。我们强烈推荐此产品用于相关设计。

6R250P-VB TO263厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

6R250P-VB TO263数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 VBSEMI/微碧半导体 6R250P-VB TO263 6R250P-VB TO263数据手册

6R250P-VB TO263封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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