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QSCT251Q200G1GV001E

产品分类: 陶瓷电容
产品描述: 20pF ±2% C0G(NP0) 250V 0805 贴片安装 2.03mm(长度)*1.27mm(宽度)
供应商型号: 712-QSCT251Q200G1GV001EDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
JOHANSON TECHNOLOGY 陶瓷电容 QSCT251Q200G1GV001E

QSCT251Q200G1GV001E概述

    # 多层高-Q电容器产品技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    多层高-Q电容器是一种高性能电容器,专为高-Q值和微波应用设计。这些电容器以其卓越的高频响应、极低的等效串联电阻(ESR)和稳定的温度系数著称。根据其设计和用途的不同,这些电容器分为多个系列,包括S系列、L系列和E系列,各自具有独特的特性和适用领域。
    主要功能
    - 高Q值:适合射频(RF)和微波电路应用。
    - 稳定的温度系数:NP0型电介质保证在极端温度范围内稳定工作。
    - 超低ESR:减少能量损失,提升系统效率。
    - 宽电压范围:覆盖从25V到7200V的工作电压。
    应用领域
    - 射频功率放大器
    - 无线通信设备
    - 电池供电的便携式电子产品
    - 汽车电子(符合AEC-Q200标准)

    2. 技术参数


    | 参数 | 描述 |

    | 工作电压(WVDC) | 25V、50V、200V、250V、500V、1000V、1500V、2500V、3600V、7200V |
    | 容量范围 | 0.2 pF 至 5100 pF |
    | 温度系数 | NP0型,±30 ppm/℃,适用于-55°C至+150°C |
    | Q值 | 频率1kHz时,Q值 > 1000;C<1000pF时,典型Q值为10,000 |
    | 绝缘电阻(IR) | ≥100 GΩ@25°C;≥10 GΩ@125°C |
    | 电介质 | S = 超高Q NP0;L = 高Q NP0;E = 超高Q NP0、高电压、高功率 |
    | 外形尺寸(EIA标准) | 0201、0402、0603、0805、1111、2525、3838 |

    3. 产品特点和优势


    特点
    - 超高的Q值和稳定性:NP0型电介质确保低损耗、高频率稳定性。
    - 支持高电流应用:某些型号如S42E、S48E、S58E,非常适合高电压和高电流的环境。
    - 兼容多种封装形式:提供芯片封装(Ni屏障或非磁性Pt-Ag)、直插式封装等多种选择。
    - 环保合规性:RoHS标准符合所有无铅产品要求。
    优势
    - 减少信号失真,提高射频设备性能。
    - 极低的ESR适合高频开关应用。
    - 采用先进的多层结构设计,确保优异的电气性能。
    - 提供汽车级版本(AEC-Q200),满足严格的质量和可靠性要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 射频功率放大器:例如在基站设备中用于高频滤波。
    - 无线通信设备:用于移动终端天线匹配网络中,优化信号传输效率。
    - 电动汽车充电模块:利用其耐高压特性,支持高压直流电源电路。
    使用建议
    - 在高频电路设计中,优先选择S系列或E系列以实现最佳的Q值表现。
    - 对于需要垂直安装的场合,可选用垂直电极导向电容器以降低耦合效应。
    - 注意根据工作环境选择合适的封装类型,确保散热性能。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    - 支持与主流印刷电路板(PCB)和其他电子元件的良好兼容性。
    - 支持多层电容器的焊接和组装工艺,与自动化生产线无缝对接。
    支持服务
    - 厂家提供详尽的技术文档和支持,包括AEC-Q200认证选项。
    - 可根据客户需求定制非标准容量或特殊封装形式。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 安装后电容值异常下降 | 检查焊接温度是否超过允许范围 |
    | 射频电路噪声增加 | 检查电容器ESR是否过大 |
    | 温度影响性能稳定 | 选择NP0型电介质以减少温漂 |
    | 接触不良导致信号干扰 | 确保焊点牢固且符合规格 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    这款多层高-Q电容器凭借其卓越的电气性能、稳定的温度系数和宽广的工作电压范围,在射频、微波及高压应用领域表现出色。特别是在高精度和高性能需求的应用中,其表现尤为突出。
    推荐意见
    强烈推荐用于需要高可靠性和高精度的电子设备中,如无线通信、射频功率放大器和电动汽车相关部件。其出色的性价比和广泛的应用领域使其成为行业首选。

    联系方式:[www.johansontechnology.com](http://www.johansontechnology.com)

QSCT251Q200G1GV001E参数

参数
电容值 20pF
容差 ±2%
温度系数 C0G(NP0)
额定电压 250V
长*宽*高 2.03mm(长度)*1.27mm(宽度)
通用封装 0805
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

QSCT251Q200G1GV001E厂商介绍

Johanson Technology是一家全球领先的射频和微波陶瓷电容器制造商,专注于为各种应用提供高性能的电容器解决方案。公司主营产品包括:

1. 射频/微波陶瓷电容器:用于高频电路,如无线通信、**、**通信等。
2. 表面贴装电容器:适用于自动化装配线,常用于消费电子和工业设备。
3. 高压陶瓷电容器:适用于需要高电压稳定性的应用,如电力系统和医疗设备。
4. 通用陶瓷电容器:适用于各种通用电子设备,提供基本的电容功能。

Johanson Technology的产品广泛应用于通信、工业、医疗、*事和****等领域。公司的优势在于:

- 技术创新:持续研发新技术,以满足不断变化的市场需求。
- 高质量标准:产品符合严格的质量控制标准,确保可靠性和耐用性。
- 定制解决方案:能够根据客户特定需求提供定制化的电容器解决方案。
- 全球服务网络:拥有遍布全球的销售和服务网络,为客户提供及时的支持和解决方案。

QSCT251Q200G1GV001E数据手册

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QSCT251Q200G1GV001E封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ $ 0.4147 ¥ 3.5044
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