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IPI030N10N3

产品分类:
产品描述: N-Channel MOSFET Transistor
供应商型号: IPI030N10N3 I??PAK/TO-262
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  IPI030N10N3

IPI030N10N3概述

    电子元器件产品技术手册:IPI030N10N3 N-Channel MOSFET

    产品简介


    IPI030N10N3 是由 INCHANGE Semiconductor 生产的一款高性能N沟道MOSFET晶体管。该产品主要应用于多种电子设备中,如电源管理、电机驱动和开关电路等。IPI030N10N3凭借其卓越的性能和可靠性,在电力电子领域具有广泛的应用前景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - VDSS(漏源电压):100V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - ID(连续漏极电流):100A
    - IDM(单脉冲漏极电流):400A
    - PD(总功耗)@TC=25℃:300W
    - Tj(最大结温):175℃
    - Tstg(存储温度范围):-55℃~175℃
    - 热特性:
    - Rth(ch-c)(通道到外壳的热阻):0.5℃/W
    - 电气特性:
    - BVDSS(漏源击穿电压):100V
    - VGS(th)(门限电压):2.0~3.5V
    - RDS(on)(导通电阻):3mΩ(@VGS=10V;ID=100A)
    - IGSS(门极漏电流):0.1μA(@VGS=20V;VDS=0V)
    - IDSS(漏源漏电流):1μA(@VDS=100V;VGS=0V)
    - VSD(二极管正向电压):1.2V(@IF=100A;VGS=0V)

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤3mΩ,使得器件在高电流应用中表现出色,降低损耗。
    2. 快速开关速度:适合高频应用,显著提高能效。
    3. 强健可靠:通过100%雪崩测试,确保产品在极端条件下稳定运行。
    4. 一致性好:最小化批次间差异,保证产品的一致性和长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:适用于各类电源管理和电机驱动系统,特别是要求高效节能的应用场景。
    - 使用建议:为了确保最佳性能,请在设计电路时注意散热管理,并避免过压或过流情况。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准N沟道MOSFET设备兼容,可以方便地替换和集成到现有系统中。
    - 支持:INCHANGE Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温环境下工作时,温度超过规定范围。
    - 解决办法:确保良好的散热措施,例如使用散热片或散热风扇。
    2. 问题:电路中出现异常的漏电流。
    - 解决办法:检查接线和安装是否正确,确认是否满足电气参数要求。

    总结和推荐


    IPI030N10N3 凭借其出色的导通电阻、快速的开关速度和可靠的性能,成为电源管理和电机驱动系统的理想选择。它在高温环境下的稳定性使其非常适合严苛的应用条件。因此,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和可靠性的应用场景。

IPI030N10N3厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

IPI030N10N3数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 IPI030N10N3 IPI030N10N3数据手册

IPI030N10N3封装设计

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