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2SD959

产品分类:
产品描述:
供应商型号: 2SD959 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  2SD959

2SD959概述


    产品简介


    产品名称:2SD959 NPN功率晶体管
    产品类型: NPN硅基功率晶体管
    主要功能:
    - 高效开关性能
    - 线性度高的电流增益 (hFE)
    - 低饱和电压 (VCE(sat))
    - 强大的耐热性能和广泛的温度适应性
    应用领域:
    - 适用于各种功率转换和开关应用
    - 可用于电机驱动、电源管理和照明控制等场合

    技术参数


    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | V(BR)CEO | 集电极-发射极击穿电压 | IC= 10mA; IB= 0 | 80 | - | - | V |
    | VCE(sat) | 集电极-发射极饱和电压 | IC= 2A; IB= 0.1A | - | 0.5 | - | V |
    | VBE(sat) | 基极-发射极饱和电压 | IC= 2A; IB= 0.1A | - | 1.5 | - | V |
    | ICBO | 集电极截止电流 | VCB= 100V; IE= 0 | - | 10 | - | μA |
    | IEBO | 发射极截止电流 | VEB= 5V; IC= 0 | - | 50 | - | μA |
    | hFE-1 | 直流电流增益 (低频) | IC= 0.1A; VCE= 2V | 45 | - | - | - |
    | hFE-2 | 直流电流增益 (高频) | IC= 0.5A; VCE= 2V | 60 | - | 260 | - |
    | fT | 电流增益带宽积 | IC= 0.5A; VCE= 10V | - | 30 | - | MHz |
    | ton | 开启时间 | IC= 0.5A; IB1= IB2= 50mA | 0.5 | - | - | μs |
    | ts | 存储时间 | - | - | 2.5 | - | μs |
    | tf | 下降时间 | - | - | 0.15 | - | μs |
    绝对最大额定值:
    - VCBO:集电极-基极电压:130V
    - VCEO:集电极-发射极电压:80V
    - VEBO:发射极-基极电压:7V
    - IC:连续集电极电流:3A
    - ICM:峰值集电极电流:6A
    - PC:集电极耗散功率:30W @ TC=25℃
    - TJ:结温:150℃
    - Tstg:存储温度范围:-55℃~150℃

    产品特点和优势


    1. 良好的线性度:高电流增益 (hFE) 确保了线性度,使晶体管在多种应用中表现更加稳定。
    2. 低饱和电压:VCE(sat)为0.5V(最大),减少了功耗和热损耗,提高了效率。
    3. 高可靠性:通过最小化批次间的差异,保证了产品在各种工作条件下的稳定性能。
    4. 多功能性:适用于各种功率转换应用,特别是在电机驱动、电源管理和照明控制等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于电机驱动系统中的开关电路,以实现高效能的控制。
    - 在开关电源中作为开关器件,提高转换效率并减少发热。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到器件的最大工作温度(150℃),确保散热良好。
    - 避免长时间在高温环境下运行,以防寿命缩短。
    - 使用时考虑负载电流的变化,选择合适的栅极电阻以优化开关性能。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 2SD959可与其他标准NPN硅基晶体管直接互换,广泛应用于各种电路设计中。
    支持信息:
    - ISC 提供详尽的技术文档和客户支持服务,包括设计指南和故障排除文档。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热 | 确保良好的散热设计,如增加散热片或风扇。 |
    | 开关速度慢 | 优化栅极电阻和驱动电路,减少寄生电容影响。 |
    | 输出电流不稳定 | 检查负载连接情况,确保负载不会超出器件的最大电流。 |
    | 工作温度过高 | 改善散热措施,避免在极端环境下长时间运行。 |

    总结和推荐


    2SD959 NPN功率晶体管是一款性能优异的产品,具有良好的线性度、低饱和电压和强大的耐热性能。它在功率转换和开关应用中表现出色,适用于电机驱动、电源管理和照明控制等场合。结合ISC提供的详细技术文档和支持,这款晶体管是工业应用的理想选择。
    推荐等级: ★★★★☆
    - 优点: 高可靠性、出色的线性度、广泛的应用场景。
    - 缺点: 无明显缺点,仅需注意良好的散热设计。
    综上所述,我们推荐2SD959 NPN功率晶体管用于需要高效、可靠和稳定的开关应用中。

2SD959参数

参数 值
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极截止电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极电流 -
晶体管类型 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 -
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
通用封装 TO-220

2SD959厂商介绍

无锡固电半导体股份有限公司的事业始于1991年,主要研发生产半导体功率器件,产品包括双极型晶体管BJT、MOSFET、可控硅、二极管、SiC二极管、SiC MOSFET、IGBT及各种模块,并提供产品设计与定制服务。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 isc/无锡固电半导体 相关型号,如 STFW3N150、BAW56、MMBT5401、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

2SD959数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 2SD959 2SD959数据手册

2SD959封装设计

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