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BU112

产品分类:
产品描述: Silicon NPN Power Transistor
供应商型号: BU112 TO-3
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  BU112

BU112概述

    BU112 NPN Silicon Power Transistor 技术手册

    产品简介


    BU112 是一种 NPN 硅功率晶体管,适用于高压和大电流应用。它特别设计用于彩色电视接收机中的偏转电路,尤其是装有 90℃ 阴极射线管 (kinescope) 的设备。这款晶体管具有优异的性能和可靠的操作稳定性,是各类高压和高电流应用的理想选择。

    技术参数


    以下是 BU112 的技术规格和性能参数:
    - 绝对最大额定值(Ta=25℃)
    - Collector-Emitter Voltage (VCBO): 550 V
    - Collector-Emitter Voltage (VCEX): 550 V
    - Emitter-Base Voltage (VEBO): 10 V
    - Collector Current (IC): 10 A
    - Base Current (IB): 4 A
    - Collector Power Dissipation (@TC=25℃): 60 W
    - Junction Temperature (Tj): 150 ℃
    - Storage Temperature Range (Tstg): -65~150 ℃
    - 热特性
    - Thermal Resistance, Junction to Case (Rth j-c): 2.9 ℃/W
    - 电气特性
    - Collector-Base Breakdown Voltage (V(BR)EBO): 10 V
    - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 3.0 V
    - Collector Cutoff Current (ICEX): 10 mA
    - DC Current Gain (hFE): 7
    - Current-Gain-Bandwidth Product (fT): 6 MHz
    - Collector Output Capacitance (COB): 250 pF
    - Fall Time (tf): 1.0 μs

    产品特点和优势


    BU112 的主要特点是:
    - 高电压耐受能力:最高可达 550 V,适合高压应用。
    - 大电流处理能力:连续集电极电流高达 10 A。
    - 低饱和电压:在典型工作条件下,饱和电压仅为 3.0 V。
    - 出色的热性能:较低的热阻抗有助于更好地散热。
    - 快速开关性能:短的下降时间(1.0 μs)有利于高频应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 彩色电视接收机中的偏转电路。
    - 其他需要高压和大电流的应用场合。
    使用建议:
    - 在应用过程中,注意散热管理以避免过热。
    - 确保供电电压不超过额定值。
    - 根据具体应用需求选择合适的基极驱动电流和集电极电流。

    兼容性和支持


    BU112 可与多种其他电子元件兼容,具体兼容性可以参考厂商提供的文档。厂商提供一定的技术支持和维护服务,如有疑问或问题,可以联系厂商获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:过热问题。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇进行强制冷却。

    2. 问题:饱和电压过高。
    - 解决方案:调整基极驱动电流,以降低饱和电压。

    3. 问题:频率响应不足。
    - 解决方案:考虑选用其他具备更高电流增益带宽积的晶体管型号。

    总结和推荐


    BU112 是一款高性能的 NPN 硅功率晶体管,特别适合应用于需要高压和大电流的环境中。其高耐压能力、大电流处理能力和优秀的热性能使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐在高压和大电流应用中使用 BU112,但请确保遵循正确的使用方法以充分发挥其性能。

BU112参数

参数 值
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
配置 -
晶体管类型 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极截止电流 -
集电极电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-3

BU112厂商介绍

无锡固电半导体股份有限公司的事业始于1991年,主要研发生产半导体功率器件,产品包括双极型晶体管BJT、MOSFET、可控硅、二极管、SiC二极管、SiC MOSFET、IGBT及各种模块,并提供产品设计与定制服务。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 isc/无锡固电半导体 相关型号,如 STFW3N150、BAW56、MMBT5401、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

BU112数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 BU112 BU112数据手册

BU112封装设计

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