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BUZ100

产品分类:
产品描述:
供应商型号: BUZ100 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  BUZ100

BUZ100概述

    BUZ100 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    BUZ100 是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管,专为高电流、高速开关应用而设计。它的主要功能包括低导通电阻(RDS(on))和快速开关速度。该产品适用于多种应用场景,如电磁阀和继电器驱动器、直流到直流及直流到交流转换器等。

    技术参数


    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 最大值为0.018Ω
    - 漏源电压 (VDSS): 在VGS=0时为50V
    - 栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID): 在TC=101℃时为60A
    - 单脉冲最大漏极电流 (IDM): 240A
    - 总耗散功率 (Ptot): 在TC=25℃时为250W
    - 最大工作结温 (Tj): -55℃至175℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55℃至175℃
    - 热阻 (Rth j-c): 0.6℃/W (结到壳)
    - 热阻 (Rth j-a): 75℃/W (结到环境)

    产品特点和优势


    - 超低导通电阻: RDS(on)的最大值仅为0.018Ω,确保在高电流应用中具有低功耗和高效能。
    - 快速开关: 快速的上升时间和下降时间(tr = 150ns,tf = 190ns),使得BUZ100非常适合高频开关应用。
    - 高温操作: 能够承受高达175℃的工作温度,使其在恶劣环境下也能可靠工作。
    - 最小批次间差异: 保证了产品的稳定性和可靠性,减少因批次差异带来的问题。

    应用案例和使用建议


    - 电磁阀和继电器驱动器: BUZ100可以用于控制电磁阀和继电器,提供稳定的电流和可靠的开关性能。
    - 直流到直流及直流到交流转换器: 高速开关特性使得BUZ100非常适合应用于这些电源转换场合。
    - 使用建议: 在高温环境中使用时,建议采取有效的散热措施,以保持器件的正常运行。同时,根据具体的应用场景选择合适的外围电路参数,以确保最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: BUZ100与其他标准N沟道MOSFET具有良好的兼容性,易于替换现有设计中的类似器件。
    - 支持: ISC提供详尽的技术文档和支持服务,用户可以随时联系技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的温度。
    - 解决方法: 确保良好的散热设计,采用适当的散热片或散热器。
    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方法: 检查电路设计,确保VGS信号足够强且信号路径没有过多的寄生电感。
    - 问题: 寿命短。
    - 解决方法: 使用时注意散热,避免长时间在极端条件下工作。

    总结和推荐


    BUZ100 N-Channel MOSFET是一款高性能、高可靠性的器件,特别适合需要高电流、快速开关的应用场合。其出色的导通电阻、高速开关性能以及宽泛的工作温度范围,使其在多个领域都表现出色。对于寻求高效、稳定、可靠的电力控制解决方案的工程师来说,BUZ100是一个值得推荐的选择。

BUZ100参数

参数 值
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
通用封装 TO-220

BUZ100厂商介绍

无锡固电半导体股份有限公司的事业始于1991年,主要研发生产半导体功率器件,产品包括双极型晶体管BJT、MOSFET、可控硅、二极管、SiC二极管、SiC MOSFET、IGBT及各种模块,并提供产品设计与定制服务。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 isc/无锡固电半导体 相关型号,如 STFW3N150、BAW56、MMBT5401、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

BUZ100数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 BUZ100 BUZ100数据手册

BUZ100封装设计

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