处理中...

首页  >  产品百科  >  DMN4036LK3

DMN4036LK3

产品分类:
产品描述:
供应商型号: DMN4036LK3 DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  DMN4036LK3

DMN4036LK3概述

    DMN4036LK3 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    DMN4036LK3 是一款由 ISC 公司生产的 N-Channel MOSFET 晶体管,专为开关电源和通用应用设计。这款晶体管具备高性能、高可靠性的特点,适用于需要高电流和低电阻的应用场合。其独特的设计使其在各类电力电子系统中表现出色,尤其在消费电子产品、工业控制和通信设备中有着广泛的应用。

    技术参数


    以下是 DMN4036LK3 的技术规格和关键性能参数:
    | 参数 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |

    | Drain-Source电压 (VDSS) | 40 | - | - | V |
    | Gate-Source电压 (VGS) | -20 | - | +20 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | - | - | 12.2 | A |
    | 单脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | 31.7 | A |
    | 总功耗 (PD) | - | - | 40 | W |
    | 最大工作结温 (TJ) | -55 | - | 150 | ℃ |
    | 存储温度 (Tstg) | -55 | - | 150 | ℃ |
    此外,其电气特性如下:
    | 参数 | 条件 | 最小值 (Min) | 典型值 (Typ) | 最大值 (Max) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 (V(BR)DSS) | VGS= 0; ID= 0.25mA | 40 | - | - | V |
    | 门限电压 (VGS(th)) | VDS= VGS; ID= 0.25mA | 1.0 | - | 3.0 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | VGS= 10V; ID= 12A | 36 | - | - | mΩ |
    | 门体漏电流 (IGSS) | VGS= ±20V; VDS= 0 | - | - | ±100 | nA |
    | 零门电压漏电流 (IDSS) | VDS= 40V; VGS= 0 | 0.5 | - | - | μA |
    | 正向导通电压 (VSD) | IS= 12A; VGS= 0 | - | - | 1.1 | V |

    产品特点和优势


    DMN4036LK3 的核心优势包括:
    - 高性能:漏源导通电阻仅为 36 mΩ(最大),能够在高电流下保持低损耗。
    - 可靠性:100% 雪崩测试确保器件的高可靠性。
    - 一致性:最小批次间变化,确保产品的一致性和可预测性。

    应用案例和使用建议


    DMN4036LK3 适用于多种应用,包括但不限于:
    - 开关电源
    - 驱动电路
    - 通用电源管理
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,以避免过热。
    - 在高温环境中使用时,注意环境温度对性能的影响。
    - 遵循制造商提供的应用指南,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    DMN4036LK3 与其他常见的 N-Channel MOSFET 产品兼容,易于替换。ISC 提供全面的技术支持和售后服务,帮助客户解决各种应用问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下工作时,MOSFET 温度过高。
    - 解决方案:加强散热设计,使用更大面积的散热片或散热风扇。
    2. 问题:MOSFET 在高频率开关操作中出现损坏。
    - 解决方案:确保驱动电路的匹配性和稳定性,减少寄生电感和杂散电容的影响。

    总结和推荐


    DMN4036LK3 N-Channel MOSFET 是一款出色的高性能器件,特别适合需要高电流和低电阻的应用场合。其高可靠性、一致性和良好的散热性能使得它在众多电力电子应用中具有显著的竞争优势。我们强烈推荐该产品用于需要高性能、高可靠性的应用场合。
    通过上述介绍,您应该已经对 DMN4036LK3 的功能和应用有了全面的了解。如果您有任何进一步的问题,欢迎随时联系 ISC 客户服务团队。

DMN4036LK3参数

参数 值
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -

DMN4036LK3厂商介绍

无锡固电半导体股份有限公司的事业始于1991年,主要研发生产半导体功率器件,产品包括双极型晶体管BJT、MOSFET、可控硅、二极管、SiC二极管、SiC MOSFET、IGBT及各种模块,并提供产品设计与定制服务。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 isc/无锡固电半导体 相关型号,如 STFW3N150、BAW56、MMBT5401、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

DMN4036LK3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 DMN4036LK3 DMN4036LK3数据手册

DMN4036LK3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5+ ¥ 5.6063
2500+ ¥ 3.588
库存: 50000
起订量: 5 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:5
合计: ¥ 28.03
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
#636CY-470M=P3 ¥ 14.2296
0.731.301 ¥ 980.0982
0.87.0023.0 ¥ 113.6533
0.87.0033.0 ¥ 474.4184
0.87.0055.0 ¥ 33.4765
0.891.606 ¥ 484.9515
0.891.607 ¥ 484.9515
00 21 02 EL ¥ 5164.7191
00 21 36 LE ¥ 4503.9297
000648 ¥ 606.879