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NDD03N40Z

产品分类:
产品描述:
供应商型号: NDD03N40Z DPAK/TO-252
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  NDD03N40Z

NDD03N40Z概述


    产品简介


    ISC N-Channel MOSFET Transistor NDD03N40Z 是一款高性能的N沟道增强型功率场效应晶体管,主要用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关及电磁线圈驱动等领域。该产品凭借其低导通电阻和高耐压特性,在各种电力电子设备中表现出色。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏极-源极电压 | 400 V |
    | 漏极电流 | 2.1 2.4 | A |
    | 峰值脉冲漏极电流 | 8 A |
    | 漏极-源极导通电阻 | 3.4 Ω |
    | 阈值电压 | 3.0 4.5 | V |
    热特性方面,NDD03N40Z在25°C时的最大耗散功率为37W,最高工作结温为150°C。存储温度范围为-55°C至150°C。

    产品特点和优势


    1. 高耐压:400V的漏源击穿电压使其适用于高压电路中。
    2. 低导通电阻:最大导通电阻为3.4Ω(在10V栅源电压下),有助于降低功耗并提高效率。
    3. 高可靠性:适用于恶劣的工作环境,具备良好的温度稳定性。
    4. 快速响应:具有较高的开关速度,适合高频应用场合。

    应用案例和使用建议


    NDD03N40Z常用于电机驱动系统、DC-DC转换器、开关电源以及电磁驱动装置等场合。在实际应用中,建议用户根据具体应用场景选择合适的驱动电路,确保MOSFET在额定范围内工作,避免过压或过流情况发生。同时,应考虑散热措施以保持设备稳定运行。

    兼容性和支持


    NDD03N40Z与其他主流N沟道MOSFET管有较好的兼容性,可直接替换同类产品。制造商提供详尽的技术支持服务,包括样品申请、开发工具支持和在线技术支持,确保客户能够高效地将产品集成到其设计中。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 优化散热设计,如增加散热片或使用风扇强制通风 |
    | 输出电流不足 | 确认负载电流要求是否超出MOSFET额定值 |
    | 工作温度异常波动 | 使用热敏电阻监测并调整散热方案 |

    总结和推荐


    综上所述,NDD03N40Z是一款非常出色的N沟道MOSFET,具有较高的耐压能力和低导通电阻,非常适合需要高效率和可靠性的应用场景。鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐使用该产品作为各类电力控制系统的首选元器件。

NDD03N40Z厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

NDD03N40Z数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 NDD03N40Z NDD03N40Z数据手册

NDD03N40Z封装设计

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