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FDPF12N50FT

产品分类:
产品描述:
供应商型号: FDPF12N50FT TO-220F
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  FDPF12N50FT

FDPF12N50FT概述

    FDPF12N50FT N-Channel MOSFET Transistor 技术手册

    产品简介


    FDPF12N50FT 是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于电机驱动、直流-直流转换器、电源开关和电磁阀驱动等多种应用场景。这款MOSFET凭借其出色的耐受能力和稳定性,广泛应用于各种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    以下是 FDPF12N50FT 的关键技术规格:
    - 漏极电流 (ID):11.5A @ TC=25℃
    - 漏源电压 (VDSS):500V(最小值)
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(on)):0.7Ω(最大值)@ VGS=10V
    - 单脉冲漏极电流 (IDM):46A
    - 总耗散功率 (PD):@TC=25℃ 时为 42W
    - 最大工作结温 (TJ):150℃
    - 存储温度 (Tstg):-55~150℃
    热特性
    | 符号 | 参数 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDSS | 漏源电压 | 500 | V |
    | VGS | 栅源电压(连续) | ±30 | V |
    | ID | 漏极电流(连续) | 11.5 | A |
    | IDM | 单脉冲漏极电流 | 46 | A |
    | PD | 总耗散功率 | @25℃ 42 | W |
    | TJ | 最大工作结温 | 150 | ℃ |
    | Tstg | 存储温度 | -55~150| ℃ |
    电气特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | V(BR)DSS | 漏源击穿电压 | VGS=0; ID=0.25mA| 500 V |
    | VGS(th) | 栅阈值电压 | VDS=VGS; ID=0.25mA | 3.0 | 5.0 | V |
    | RDS(on) | 漏源导通电阻 | VGS=10V; ID=6A 0.7 | Ω |
    | IGSS | 栅体泄漏电流 | VGS=±30V; VDS=0 ±100 | nA |
    | IDSS | 零栅电压漏极电流 | VDS=500V; VGS=0 10 | uA |
    | VSD | 正向导通电压 | IS=11.5A; VGS=0 1.5 | V |

    产品特点和优势


    FDPF12N50FT 具备以下显著特点:
    - 高可靠性:产品经过100%雪崩测试,确保在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 低RDS(on):静态漏源导通电阻为0.7Ω(最大值),提供更低的导通损耗和更高的效率。
    - 低栅体泄漏电流:栅体泄漏电流小于±100nA,保证了良好的栅极控制性能。
    - 宽工作温度范围:能够在-55到150℃的温度范围内可靠工作,适应各种环境要求。
    这些特点使其成为在电机驱动、电源转换等高电流应用中的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电机驱动:在电动机的控制电路中,FDPF12N50FT 可以作为开关元件,实现高效、稳定的电机控制。
    - 直流-直流转换器:在DC-DC转换器中,FDPF12N50FT 可以有效管理高电流,减少功耗,提高整体效率。
    - 电源开关:作为电源开关元件,FDPF12N50FT 可以处理较大的瞬态电流,保障系统的稳定运行。
    - 电磁阀驱动:在电磁阀控制电路中,FDPF12N50FT 可以提供快速的响应和可靠的驱动能力。
    使用建议
    - 散热设计:由于该MOSFET在大电流工作时会产生大量热量,因此需要合理的散热设计,如采用散热片或风扇。
    - 保护电路:在使用过程中,需加入适当的保护电路,如瞬态电压抑制二极管,防止过电压损坏器件。
    - 栅极驱动:为了降低栅极驱动损耗,可以考虑使用专用的MOSFET驱动器,以确保栅极电压稳定。

    兼容性和支持


    FDPF12N50FT 与其他标准的N沟道MOSFET具有良好的兼容性,适用于大多数现有电路设计。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利集成并使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确安装散热片?
    解决方案:安装散热片时,应确保散热片紧密贴合MOSFET的底部,必要时可涂抹热界面材料(如导热硅脂),以提高热传导效率。
    问题2:栅极驱动电压不稳怎么办?
    解决方案:检查栅极驱动电路的设计,确保驱动信号稳定且有足够的驱动电流。可以考虑增加电容滤波或使用专用驱动芯片。

    总结和推荐


    综上所述,FDPF12N50FT 是一款性能优异、可靠稳定的N沟道MOSFET,适合于多种高电流应用场景。其低导通电阻、宽工作温度范围和高可靠性,使其在市场上具备很强的竞争力。因此,我们强烈推荐此产品用于需要高性能和稳定性的应用场合。
    ISC官方网站:[www.iscsemi.com](http://www.iscsemi.com)
    ISC 和 ISCsemi 是注册商标。

FDPF12N50FT厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDPF12N50FT数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 FDPF12N50FT FDPF12N50FT数据手册

FDPF12N50FT封装设计

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