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FDP55N06

产品分类:
产品描述:
供应商型号: FDP55N06 TO-220
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  FDP55N06

FDP55N06概述

    FDP55N06 N-Channel MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    FDP55N06 是一款由 ISC 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关和电磁阀驱动等应用。这款 MOSFET 以其卓越的性能、高可靠性以及紧凑的设计而受到广泛应用。

    2. 技术参数


    FDP55N06 的关键技术和电气特性如下表所示:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDSS | 60 | - | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | - | 55 | - | A |
    | 源漏通态电阻 | RDS(on) | - | 22 | - | mΩ |
    | 栅源电压 | VGS | ±25 | - | - | V |
    | 最大功耗 | PD | - | - | 114 | W |
    | 工作温度范围 | TJ | - | 150 | - | ℃ |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 | - | 150 | ℃ |

    3. 产品特点和优势


    - 高电流能力:FDP55N06 可以提供高达 55A 的漏极连续电流,适用于高功率应用。
    - 低通态电阻:漏源通态电阻仅为 22mΩ,确保了高效的能量转换,降低了功耗。
    - 抗雪崩击穿特性:该产品通过 100% 雪崩测试,保证在极端工作条件下也能稳定可靠运行。
    - 稳定的生产批次差异:FDP55N06 有着最小化的批次差异,确保产品性能的一致性。

    4. 应用案例和使用建议


    FDP55N06 广泛应用于各类电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关及电磁阀驱动等场合。在实际应用中,用户应注意散热设计,避免过热对产品寿命和性能的影响。此外,在进行高频开关操作时,需要特别注意栅极驱动电路的设计,以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    FDP55N06 与大多数标准电路和控制器具有良好的兼容性,适合集成到现有系统中。ISC 公司为其产品提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助用户在应用中充分发挥其性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - A: 推荐使用 10V 的栅极驱动电压,这可以确保最佳的导通性能同时限制功耗。

    - Q: 在什么情况下需要外部散热装置?
    - A: 当 FDP55N06 在高负载条件下长时间运行时,应考虑使用散热器以保持较低的工作温度。

    7. 总结和推荐


    FDP55N06 以其卓越的性能、稳定的生产批次一致性以及广泛的适用范围,在同类产品中脱颖而出。该产品非常适合于需要高效率和高性能的高功率应用场合。综合来看,强烈推荐用户在这些场景中选用 FDP55N06。

FDP55N06厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

FDP55N06数据手册

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FDP55N06封装设计

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