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SUM45N25-58

产品分类:
产品描述:
供应商型号: SUM45N25-58 D??PAK/TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  SUM45N25-58

SUM45N25-58概述

    SUM45N25-58 N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    SUM45N25-58 是一款由 ISC Semiconductor 生产的 N 沟道 MOSFET 晶体管。它主要应用于电机驱动、DC-DC 转换器、电源开关和电磁阀驱动等领域。这款晶体管具备高耐压(最大 250V)和低导通电阻(最大 58mΩ)的特点,使其成为多种电力转换应用的理想选择。

    技术参数


    - 电流参数:连续漏极电流(ID)为 45A;单脉冲最大漏极电流(IDM)为 70A。
    - 电压参数:最大漏源电压(VDSS)为 250V;最小漏源电压(VDSS)为 250V。
    - 电阻参数:最大漏源导通电阻(RDS(on))为 58mΩ(在 VGS=10V 和 ID=20A 条件下)。
    - 热参数:最大结壳热阻(Rth(J-c))为 0.4℃/W。
    - 其他参数:最大门源电压(VGS)为 ±30V;最大工作结温(Tj)为 175℃;存储温度范围(Tstg)为 -55℃ 至 175℃。

    产品特点和优势


    SUM45N25-58 的特点包括:
    - 高可靠性:经过 100% 电击穿测试,确保每次使用都是安全可靠的。
    - 低导通电阻:最大 58mΩ 的导通电阻可以显著减少功耗并提高效率。
    - 稳定的性能:最小批次间差异,保证每个设备都能提供一致的性能表现。
    - 宽泛的工作温度范围:-55℃ 到 175℃,适合各种极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    SUM45N25-58 在电机驱动和电磁阀驱动的应用中表现出色。对于需要大功率输出的场合,这款 MOSFET 可以提供稳定的电流输出。建议在设计电路时考虑散热措施,特别是在高电流工作条件下。此外,使用时需注意保持 VGS 电压不超过 ±30V,以避免损坏设备。

    兼容性和支持


    该产品与大多数标准的电路设计兼容,可以广泛用于各种直流电源管理和控制场合。ISC Semiconductor 提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的使用指南和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在长时间高电流状态下运行时发热严重。
    - 解决方案:增加外部散热片或风扇进行散热,确保良好的空气流通。

    2. 问题:在大电流脉冲情况下,设备出现过热现象。
    - 解决方案:考虑使用更大容量的 MOSFET 或者增加适当的散热设计,降低热量积累。

    总结和推荐


    总体而言,SUM45N25-58 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET 晶体管,具有优异的电气特性和广泛的应用范围。其低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其适用于多种电力转换应用。强烈推荐用于需要高可靠性和高效能的场合。然而,使用者需要注意严格遵守工作条件,特别是电源管理和散热方面的注意事项。

SUM45N25-58厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

SUM45N25-58数据手册

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SUM45N25-58封装设计

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