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R6030ENZ1

产品分类:
产品描述:
供应商型号: R6030ENZ1 TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 5
ISC/无锡固电半导体  R6030ENZ1

R6030ENZ1概述


    产品简介


    isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),专为开关电源和通用应用而设计。其核心功能包括高电流处理能力和高电压耐受能力,使其成为各种电力转换和控制应用的理想选择。

    技术参数


    以下是isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1 的主要技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDSS) 600 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 ±20 | V |
    | 连续漏极电流 (ID) 30 | A |
    | 单脉冲漏极电流 (IDM) 80 | A |
    | 总耗散功率 (PD) 120 | W |
    | 最大结温 (TJ) 150 | ℃ |
    | 存储温度 (Tstg) | -55 150 | ℃ |
    | 热阻抗 (Rth j-c) 1.04 | ℃/W |

    产品特点和优势


    isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1 的主要特点是其高可靠性和低漏源导通电阻(RDS(on)),保证了在高温和高电流条件下的稳定运行。该产品的独特之处在于100%雪崩测试确保了其出色的可靠性。此外,最低批次间的差异使其能够实现稳定的性能和长期可靠的运行。

    应用案例和使用建议


    该MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动器和逆变器等领域。在开关电源中,它能有效提高效率并降低功耗。为了优化其性能,在使用时应注意以下几个方面:
    1. 确保栅极电压不超过最大值以防止过压损坏。
    2. 在高电流和高温度环境下使用时,考虑散热措施以保持正常运行。

    兼容性和支持


    该产品与其他标准电子元器件兼容,可以方便地集成到现有的电路设计中。制造商提供了详细的技术文档和支持,确保用户能够顺利地将该产品应用于各种项目中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 栅极电压超过额定值导致器件损坏。
    解决方法: 使用适当的栅极驱动电路,确保栅极电压不超出范围。

    2. 问题: 温度过高引起性能下降。
    解决方法: 使用外部散热器或强制通风,以降低工作温度。

    总结和推荐


    综上所述,isc N-Channel MOSFET Transistor R6030ENZ1 是一款具有高可靠性和高效能的产品,适用于多种电力转换和控制应用。其优越的性能和广泛的适用性使其成为市场上同类产品的有力竞争者。我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高电流和高电压处理的应用场景。

R6030ENZ1厂商介绍

ISC(International Scientific Communications, Inc.)是一家全球性的公司,专注于提供高性能计算(HPC)解决方案,包括超级计算机、集群和存储系统。ISC的主营产品分类包括:

1. 超级计算机:提供高性能的计算能力,用于科学研究、工程设计和数据分析等领域。
2. 集群系统:构建分布式计算环境,适用于需要大规模并行处理的任务。
3. 存储系统:提供大容量、高速度的数据存储解决方案,满足数据密集型应用的需求。

ISC的产品广泛应用于以下领域:

- 科学研究:如气候模拟、生物信息学、物理模拟等。
- 工程设计:如汽车、**器的流体动力学模拟和结构分析。
- 金融服务:如风险管理、高频交易和金融建模。
- 数据分析:如大数据分析、机器学习和人工智能应用。

ISC的优势在于:

- 技术创新:不断研发新技术,以提高计算效率和降低能耗。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 全球支持:提供全球范围内的技术支持和服务。
- 性能领先:其超级计算机和集群系统在性能上处于行业领先地位。

ISC通过这些优势,帮助客户解决复杂的计算问题,推动科技进步和创新。

R6030ENZ1数据手册

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ISC/无锡固电半导体 ISC/无锡固电半导体 R6030ENZ1 R6030ENZ1数据手册

R6030ENZ1封装设计

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