处理中...

首页  >  产品百科  >  GD25Q16EEIGR

GD25Q16EEIGR

产品分类: 闪存(Flash)
产品描述: 2MB 2M x 8 2.7V 100mA 3.6V 133MHz SPI-Quad I/O 8bit USON-8 贴片安装,黏合安装
供应商型号: GD25Q16EEIGR USON8 3*2MM-0.45
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
GIGADEVICE/北京兆易创新 闪存(Flash) GD25Q16EEIGR

GD25Q16EEIGR概述


    产品简介


    GD25Q16E:高性能16M-bit串行闪存
    GD25Q16E是一款由Uniform Sector生产的高性能16M-bit串行闪存。它支持标准的串行外设接口(SPI)、双SPI和四SPI模式,适用于需要高速读写操作的场合。这款闪存具有页编程速度高达0.4ms,块擦除时间为0.15s至0.25s,芯片擦除时间仅为6s。GD25Q16E可以广泛应用于各种嵌入式系统、工业自动化、网络通信设备等领域。

    技术参数


    - 存储容量: 2M × 8位 (16M-bit)
    - 页大小: 256字节
    - 块擦除时间:
    - 32K-Byte块:0.15s
    - 64K-Byte块:0.25s
    - 扇区擦除时间: 45ms
    - 芯片擦除时间: 6s
    - 支持的接口模式: 标准SPI、双SPI、四SPI
    - 工作电压: 2.7V - 3.6V
    - 高速时钟频率: 最高可达133MHz
    - 数据传输速率:
    - 双输入输出:最高266Mbit/s
    - 四输入输出:最高532Mbit/s
    - 低功耗特性:
    - 典型待机电流:11μA
    - 典型深度掉电电流:1μA
    - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
    - 封装类型: SOP8、USON8、WSON8

    产品特点和优势


    特点:
    1. 高速读写能力:支持标准SPI、双SPI和四SPI模式,大幅提升数据传输速度。
    2. 灵活的存储架构:采用均匀的4K-Byte扇区和32/64K-Byte块设计。
    3. 强大的数据保护机制:提供软件和硬件写保护,以及128位唯一标识符和安全寄存器。
    4. 长寿命:最少可支持10万次编程/擦除周期,数据保持时间可达20年。
    优势:
    1. 高性能:页编程速度快,适合实时应用。
    2. 灵活性:灵活的存储架构和多种接口模式,适用于不同应用需求。
    3. 安全性:多种数据保护机制确保数据安全。
    4. 低功耗:即使在深度掉电模式下仍能保持极低功耗,非常适合电池供电设备。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    1. 嵌入式系统:如路由器、交换机、工业控制器等。
    2. 消费电子产品:如智能手表、智能家居设备等。
    3. 通信设备:如调制解调器、无线通信模块等。
    使用建议:
    1. 在进行大规模数据传输时,推荐使用四SPI模式以提升数据吞吐量。
    2. 在需要低功耗的情况下,可以利用深度掉电模式来减少功耗。
    3. 对于关键数据区域,可以启用软件写保护和硬件保护机制,确保数据的安全性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    1. 该产品兼容标准SPI总线协议,与大多数微控制器和处理器无缝对接。
    2. 提供多种封装形式,可根据具体应用需求选择合适的封装类型。
    支持和服务:
    1. 提供详细的技术文档和应用指南,方便用户快速上手。
    2. 厂商提供专业的技术支持服务,包括在线客服和技术培训等。

    常见问题与解决方案


    问题1: 如何进行硬件写保护?
    解决方案: 将WP#引脚拉低即可实现硬件写保护。
    问题2: 如何进入深度掉电模式?
    解决方案: 发送DEEP POWER-DOWN (B9H)命令进入深度掉电模式。
    问题3: 如何恢复从深度掉电模式?
    解决方案: 发送RELEASE FROM DEEP POWER-DOWN AND READ DEVICE ID (ABH)命令。

    总结和推荐


    综合评估:
    GD25Q16E凭借其高性能、灵活的存储架构、强大的数据保护机制和低功耗特性,在众多嵌入式系统和消费电子领域表现出色。其多种接口模式和支持标准SPI总线的特点使其在不同应用环境中都能游刃有余。
    推荐结论:
    强烈推荐GD25Q16E作为高性能串行闪存的选择,特别是在对数据传输速度和可靠性有较高要求的应用中。无论是用于嵌入式系统还是消费电子产品,GD25Q16E都是一个可靠且高效的选择。

GD25Q16EEIGR参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 2M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 2MB
最大供电电流 100mA
最大时钟频率 133MHz
通用封装 USON-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GD25Q16EEIGR厂商介绍

GigaDevice(兆易创新)是一家中国的半导体公司,专注于存储器及相关芯片的设计、研发和销售。公司主营产品包括NOR Flash、MCU(微控制器)、存储器解决方案等,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、物联网等多个领域。

GigaDevice的优势在于:
1. 技术领先:公司在NOR Flash领域具有较强的技术实力,产品性能和可靠性得到市场认可。
2. 产品线丰富:公司提供多种容量和接口的存储器产品,满足不同客户的需求。
3. 市场地位:GigaDevice在全球NOR Flash市场占有一席之地,是中国领先的存储器供应商之一。
4. 客户资源:公司与多家知名企业建立了合作关系,积累了丰富的客户资源。
5. 研发投入:公司持续加大研发投入,推动产品创新和技术升级,以保持竞争优势。

GD25Q16EEIGR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GIGADEVICE/北京兆易创新 闪存(Flash) GIGADEVICE/北京兆易创新 GD25Q16EEIGR GD25Q16EEIGR数据手册

GD25Q16EEIGR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.62
6000+ ¥ 1.593
库存: 6488
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 4860
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1734448-1 ¥ 30.7007
410-340 ¥ 185.306
49063 ¥ 87.2219
A290021TV-70F ¥ 32.6592
A290021UL-70F ¥ 0
A29002UL-70F ¥ 15.2099
A29040BL-70F ¥ 35.6452
A29160UV-70F ¥ 0
A29L008ATV-70F ¥ 10.7309
A29L040L-70F ¥ 0