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GD25B256EYIGR

产品分类: 闪存(Flash)
产品描述: 32MB Serial (SPI,Dual SPI,Quad SPI)
供应商型号: SYE-GD25B256EYIGR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
GIGADEVICE/北京兆易创新 闪存(Flash) GD25B256EYIGR

GD25B256EYIGR概述

    GD25B256E 256M-bit Dual and Quad Serial Flash 技术手册概述

    1. 产品简介


    产品类型: 256M-bit 双/四通道串行闪存(Dual and Quad Serial Flash)
    主要功能:
    - 高速读写操作:最高时钟频率可达133MHz
    - 双/四通道数据传输速率分别为266Mbits/s和532Mbits/s
    - 标准、双输出和四输出SPI接口支持
    - 数据保护机制:软件写保护、安全性寄存器锁定
    - 灵活的地址模式:3-Byte和4-Byte地址模式
    - 包含统一扇区架构,适用于各种块和扇区擦除及编程操作
    应用领域:
    - 消费电子设备
    - 工业控制设备
    - 存储解决方案
    - 移动设备
    - 车载设备
    - 以及其他需要高速存储和灵活操作模式的应用场合

    2. 技术参数


    内存组织:
    - 256M-bit(32M-Byte)
    - 块大小:64K/32K-Bytes
    - 扇区大小:4K-Bytes
    - 页面大小:256-Bytes
    - 扇区擦除时间:30ms典型
    - 块擦除时间:0.12s/0.15s典型
    - 芯片擦除时间:70s典型
    - 程序时间:0.25ms典型
    电气特性:
    - 电源电压范围:2.7-3.6V
    - 工作温度范围:-40°C至85°C(I级),-40°C至105°C(J级),-40°C至125°C(E级)
    - 电源电流:
    - 待机模式:16μA至200μA
    - 低功耗模式:1μA典型
    - 读取操作:14mA至32mA
    - 编程操作:12mA至25mA
    - 其他特性:高阻输入泄漏电流,低阻输出泄漏电流
    环境条件:
    - 存储温度范围:-65°C至150°C
    - 最大瞬态电压:-2.0V至VCC+2.0V
    - 额定输入电压:-0.6V至VCC+0.4V

    3. 产品特点和优势


    - 高速数据传输: 支持高达532Mbits/s的数据传输速度,适合高带宽需求的应用场景
    - 灵活的架构: 统一扇区和块结构,方便块和扇区级别的数据擦除和编程操作
    - 强大的数据保护: 多种数据保护机制,如软件写保护、安全性寄存器锁定,确保数据安全
    - 低功耗: 在低功耗模式下仅消耗1μA的电流,适合电池供电的设备
    - 兼容多种SPI接口: 标准、双输出和四输出SPI接口,易于集成到不同类型的系统中
    - 高可靠性: 高达100,000次的擦写循环,保证数据持久性和稳定性
    - 可编程性和自定义能力: 支持用户自定义的数据保护和配置设置

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 智能家居设备: 如智能灯泡、智能门锁,通过快速编程和擦除操作实现动态更新配置
    - 车载娱乐系统: 快速读取导航数据,提高用户体验
    - 工业控制系统: 快速数据记录和实时监测,保证系统的稳定运行
    使用建议:
    - 在选择使用该产品前,应根据具体应用场景考虑所需的性能指标和数据保护要求
    - 结合产品文档中的命令序列和数据手册进行详细规划和设计
    - 在实际应用中,通过调整命令序列中的参数和配置选项,可以进一步优化产品的性能和功能

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品支持标准SPI、双输出SPI和四输出SPI接口,与大多数主流微控制器和处理器相兼容
    - 内置的安全性和保护机制使得产品可以在多种环境中稳定运行
    支持信息:
    - 供应商提供详尽的技术文档和支持,包括命令手册、数据手册、开发套件和参考设计
    - 客户服务和技术支持团队随时准备解决用户遇到的问题,并提供及时的反馈和指导

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 无法执行擦写操作
    - 无法正常读取数据
    - 写保护导致无法写入数据
    解决方案:
    - 无法执行擦写操作: 确认是否已经发送了正确的写使能命令(WREN),并且状态寄存器中的写使能标志(WEL)已被设置
    - 无法正常读取数据: 确保SPI时钟频率和命令序列正确,检查是否有误码
    - 写保护导致无法写入数据: 检查状态寄存器中的写使能标志(WEL)和保护位(BP4-BP0),并确认这些位已被正确设置

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    GD25B256E是一款高性能的256M-bit双/四通道串行闪存,具备高速数据传输、强大的数据保护机制和灵活的架构。它在消费电子、工业控制和移动设备等多种应用场景中具有广泛的应用前景。
    推荐:
    鉴于GD25B256E出色的性能和可靠性,强烈推荐用于对数据传输速度和数据保护要求较高的应用场景。其广泛的温度范围和多种封装形式使其适应性强,适合各种不同的应用场景。

GD25B256EYIGR参数

参数
存储容量 32MB
最大供电电流 -
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Serial (SPI,Dual SPI,Quad SPI)
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

GD25B256EYIGR厂商介绍

GigaDevice(兆易创新)是一家中国的半导体公司,专注于存储器及相关芯片的设计、研发和销售。公司主营产品包括NOR Flash、MCU(微控制器)、存储器解决方案等,广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、物联网等多个领域。

GigaDevice的优势在于:
1. 技术领先:公司在NOR Flash领域具有较强的技术实力,产品性能和可靠性得到市场认可。
2. 产品线丰富:公司提供多种容量和接口的存储器产品,满足不同客户的需求。
3. 市场地位:GigaDevice在全球NOR Flash市场占有一席之地,是中国领先的存储器供应商之一。
4. 客户资源:公司与多家知名企业建立了合作关系,积累了丰富的客户资源。
5. 研发投入:公司持续加大研发投入,推动产品创新和技术升级,以保持竞争优势。

GD25B256EYIGR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GIGADEVICE/北京兆易创新 闪存(Flash) GIGADEVICE/北京兆易创新 GD25B256EYIGR GD25B256EYIGR数据手册

GD25B256EYIGR封装设计

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