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WST3035

产品分类:
厂牌: WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体
产品描述:
供应商型号: WST3035 SOT-23-6L
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINSOK SEMICONDUCTOR/台湾微硕半导体  WST3035

WST3035概述

    WST3035 P-Channel MOSFET 技术手册解析

    一、产品简介


    WST3035 是一款高性能的沟槽型 P 沟道 MOSFET,专为高频率点负载同步降压转换器设计,广泛应用于移动便携设备(如 MB/NB/UMPC/VGA)、网络 DC-DC 电源系统及负载开关等领域。它采用了先进的高密度沟槽技术,具备极低的导通电阻(Rdson)和栅极电荷(Qg),非常适合需要高效能转换的场景。

    二、技术参数


    以下是 WST3035 的主要技术参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源击穿电压 | -30 V |
    | VGS | 栅源电压 | ±20 V |
    | ID | 连续漏极电流 | -4.4 | -3.0 A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 -14 | A |
    | PD | 总功率耗散 1 | W |
    | TSTG | 储存温度范围 | -55 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 150 | ℃ |
    | RθJA | 结-空气热阻 125 | ℃/W |
    | RθJC | 结-壳热阻 80 | ℃/W |
    | Rdson | 导通电阻(典型值) | 50 60 | mΩ |
    此外,WST3035 还具有以下关键特性:
    - 高频率性能优异,适用于同步降压转换器。
    - 符合 RoHS 和绿色环保标准。
    - 极高的单元密度,提供出色的 Rdson 和 Qg 特性。

    三、产品特点和优势


    1. 高效率:通过先进的沟槽技术实现低 Rdson 和 Qg,显著提升能源转换效率。
    2. 可靠性强:全功能可靠性测试认证,确保长期稳定运行。
    3. 环保设计:符合 RoHS 标准,采用绿色材料。
    4. 宽温域适应性:支持 -55℃ 至 150℃ 的工作温度范围,适应恶劣环境。
    5. 快速开关性能:具备优秀的 CdV/dt 效应抑制能力,降低 EMI 干扰。

    四、应用案例和使用建议


    WST3035 可用于多种电子系统中,例如:
    - 移动计算设备(如笔记本电脑、平板电脑)中的 DC-DC 转换器。
    - 网络通信设备中的负载开关。
    - 汽车电子系统的稳压模块。
    使用建议:
    - 在高频应用中,建议尽量缩短 PCB 走线长度以减少寄生效应。
    - 设计时需考虑热管理,避免结温超过 150℃。
    - 结合实际负载需求选择合适的脉冲宽度和占空比,防止过载。

    五、兼容性和支持


    - 兼容性:WST3035 支持标准的 SOT-23-6L 封装,易于与其他元件集成。
    - 技术支持:厂商提供详尽的技术文档和客户支持服务,确保用户快速上手。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热保护失效 | 检查散热片安装是否正确,增加散热面积。 |
    | 开关速度慢 | 减少门极电容,优化驱动电路设计。 |
    | 栅极电压超出限制 | 使用符合要求的驱动器或调整电路配置。 |

    七、总结和推荐


    综上所述,WST3035 是一款性能卓越的 P 沟道 MOSFET,尤其适合需要高效能和宽温域工作的场景。其超低 Rdson 和优秀的快速开关性能使其成为同类产品的佼佼者。如果您正在寻找一款可靠的高性能 MOSFET,WST3035 是一个非常值得推荐的选择。
    推荐指数:★★★★★

WST3035数据手册

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WST3035封装设计

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