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B4AS8G53222B

产品分类: 内存条
产品描述: 3.2GHz UDIMM 1.2V 22-22-22-52 8G 133.35mm*31.25mm*3.9mm
供应商型号: SG-B4AS8G53222B
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
BIWIN/深圳佰维科技 内存条 B4AS8G53222B

B4AS8G53222B概述


    产品简介


    Biwin B4AS8G53222B DDR4 SO-DIMM 8GB 1Rx8
    Biwin 的 B4AS8G53222B DDR4 SO-DIMM 是一款高性能内存模块,专为现代计算系统设计。该模块支持 DDR4 功能和操作规范,能够实现高速数据传输。其主要特点包括单秩(Single-Rank)配置,260 针小型双列直插式内存模块(SO-DIMM)接口,以及 8GB 的存储容量。该模块符合 JEDEC 标准,并具有出色的电气特性和低功耗特性。

    技术参数


    - 主要规格:
    - 容量:8GB (1 Gig x 64)
    - 类型:单秩(Single-Rank)
    - 接口:260 针 DDR4 SO-DIMM
    - 速度:PC4-3200(DDR4-3200)

    - 电气特性:
    - VDD(电压):1.20V (NOM)
    - VPP(电压):2.5V (NOM)
    - VDDSPD(电压):2.5V (NOM)
    - CAS Latency(时序延迟):22 nCK
    - tRCD(行激活到列读写延时):13.75 ns
    - tRP(预充电延时):13.75 ns
    - tRAS(自刷新延时):32 ns
    - tRC(行周期延时):45.75 ns

    - 其他参数:
    - 支持双向数据总线反转(DBI)功能
    - 按需生成和校准片上参考电压(VREFDQ)
    - 金边触点
    - 无卤素
    - 使用 Fly-by 架构
    - 支持动态片上终止(ODT)
    - 工作环境:
    - 工作温度范围:商业级(0°C ≤ TOPER ≤ +85°C)
    - 存储温度范围:﹣55°C ≤ TSTG ≤ +100°C

    产品特点和优势


    1. 高速数据传输:Biwin B4AS8G53222B 支持 PC4-3200 的数据传输速率,使得数据处理能力大幅提升。
    2. 单秩配置:单秩设计提高了内存模块的可靠性,并降低了功耗。
    3. 支持多种功能:包括双向数据总线反转(DBI)、动态片上终止(ODT)、自动自刷新(LPASR)等功能。
    4. 环保材料:采用无卤素材料制造,更环保且具有更好的耐久性。
    5. 优秀的电气特性:提供稳定的供电和参考电压,确保长时间稳定运行。

    应用案例和使用建议


    Biwin B4AS8G53222B DDR4 SO-DIMM 适用于各种高性能计算系统,如服务器、工作站、台式机和笔记本电脑。此外,该模块还可应用于嵌入式系统、数据中心和移动计算设备等场景。
    使用建议:
    - 在安装前,请咨询主板和 CPU 制造商,确保硬件支持内存模块的标称速度和延迟。
    - 遵循正确的存储温度和工作温度范围,以确保模块的最佳性能。
    - 如果需要启用 CRC 或校验功能,可以通过设置模式寄存器进行配置。

    兼容性和支持


    该模块具有良好的兼容性,适用于符合 JEDEC 标准的各类主板和处理器。Biwin 提供全面的技术支持,包括产品手册、驱动程序和售后支持。如果您在使用过程中遇到任何问题,可以随时联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何确定内存模块是否支持指定的频率和延迟?
    解答:请检查内存模块的数据手册或制造商网站上的规格表,确认其支持的频率和延迟值。确保您的主板和 CPU 也支持这些参数。
    问题 2:如何启用或禁用 CRC 校验功能?
    解答:通过设置模式寄存器(MR)中的相关位来启用或禁用 CRC 校验功能。具体设置方法请参阅数据手册中的详细说明。
    问题 3:在系统中出现错误时,如何查看报警信号?
    解答:报警信号通过 ALERTn 输出。如果检测到 CRC 错误或其他命令地址奇偶校验错误,ALERTn 会短暂拉低,直到内部恢复完成。可以通过监测 ALERTn 引脚的状态来诊断错误。

    总结和推荐


    综上所述,Biwin B4AS8G53222B DDR4 SO-DIMM 是一款高性能、高可靠性的内存模块,适合于各种高端计算系统。其卓越的电气特性和广泛的应用范围使其在市场上具有很高的竞争力。对于寻求高速度、高可靠性的客户而言,这款内存模块是一个非常值得推荐的选择。

B4AS8G53222B参数

参数
接口 UDIMM
时序 22-22-22-52
工作电压 1.2V
容量 8G
频率 3.2GHz
长*宽*高 133.35mm*31.25mm*3.9mm

B4AS8G53222B厂商介绍

BIWIN是一家专注于存储产品的高新技术企业,其产品线涵盖固态硬盘(SSD)、内存模块(DRAM)等。公司主营产品分类包括:

1. 固态硬盘(SSD):提供不同接口(如SATA、NVMe)和容量的固态硬盘,适用于个人电脑、服务器、数据中心等。
2. 内存模块(DRAM):包括DDR3、DDR4等不同规格的内存条,广泛应用于计算机、服务器、工业控制等领域。

BIWIN的产品以其高性能、高可靠性和高性价比而受到市场认可。公司优势在于:

1. 技术创新:BIWIN持续投入研发,拥有多项专利技术,确保产品技术领先。
2. 品质保证:严格的质量控制流程和高标准的生产工艺,确保产品品质。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
4. 全球布局:BIWIN在全球多个国家和地区设有分支机构,提供本地化服务和支持。

BIWIN致力于为客户提供优质的存储解决方案,推动存储技术的发展和应用。

B4AS8G53222B数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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B4AS8G53222B封装设计

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