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W632GG8NB-11

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256 M x 8 1.425V 1.575V 933MHz Parallel 8bit VFBGA-78 贴片安装
供应商型号: W632GG8NB-11 VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG8NB-11

W632GG8NB-11概述

    W632GG8NB DDR3 SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    W632GG8NB 是一款容量为 32M × 8 BANKS × 8 BIT 的 DDR3 SDRAM 存储器芯片,专为高性能计算、服务器、存储设备和嵌入式系统设计。其核心功能包括高速数据传输、多通道并行操作以及低功耗设计,使其适用于需要高效能和稳定性的应用场景。
    主要应用领域包括:
    - 数据中心服务器
    - 高性能计算(HPC)
    - 移动计算平台
    - 工业控制与嵌入式系统

    2. 技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 值 |

    | 容量 | 32M × 8 BANKS × 8 BIT |
    | 接口类型 | DDR3 |
    | 数据速率 | DDR3-1333/1600/1866 |
    | 工作电压 | 1.5V ± 5% |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +85°C |
    | 输入/输出电容 | ≤ 6 pF |
    | 最大时钟频率 | 1.6 GHz |
    支持的主要电气特性包括:
    - 支持动态自刷新(Self-refresh)和部分阵列自刷新(Partial Array Self-refresh, PASR)
    - 输出驱动阻抗控制(Output Driver Impedance Control)
    - 动态终端电阻(Dynamic ODT, RttWR)

    3. 产品特点和优势


    W632GG8NB 的显著特点包括:
    - 高带宽和低延迟:支持 DDR3 标准,提供高达 1866 Mbps 的数据传输速率。
    - 灵活的电源管理:支持多种节能模式,如自刷新和预充电关机模式。
    - 强大的可靠性:具备 ZQ 校准功能,确保信号完整性。
    - 高度集成:集成了多种功能模块,简化系统设计。
    这些特性使得 W632GG8NB 在高密度存储需求的应用场景中具有显著的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用场景包括服务器内存条、图形处理卡和高性能计算设备。为了充分发挥其性能,建议在设计中注意以下几点:
    - 使用高性能 PCB 板材以减少信号衰减。
    - 确保良好的散热设计,特别是在高负载情况下。
    - 在初始化阶段正确配置模式寄存器,以实现最佳性能。

    5. 兼容性和支持


    W632GG8NB 与其他主流 DDR3 控制器和处理器兼容,厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括硬件参考设计和软件开发工具包(SDK),帮助用户快速集成到系统中。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方法:
    - 问题:初始化失败
    解决办法:检查供电电压是否符合要求,并重新配置模式寄存器。
    - 问题:数据传输不稳定
    解决办法:调整写恢复时间(tWR)或添加适当的上拉/下拉电阻。

    7. 总结和推荐


    总体而言,W632GG8NB 是一款性能优异且高度可靠的 DDR3 SDRAM 芯片,适合对存储性能要求较高的应用场合。其灵活性、稳定性和高效的电源管理使其成为众多高端应用的理想选择。我们强烈推荐将其作为高性能计算和数据中心系统的首选存储解决方案。
    如果您正在寻找一款能够满足未来扩展需求的 DDR3 SDRAM 芯片,W632GG8NB 将是一个值得考虑的选择。

W632GG8NB-11参数

参数
最小工作供电电压 1.425V
组织 256 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 1.575V
通用封装 VFBGA-78
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W632GG8NB-11数据手册

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W632GG8NB-11封装设计

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