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W25N01GWTBIG TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128MB 128 M x 8 1.7V 35mA 1.95V 104MHz SPI-Quad I/O 8bit TFBGA-24 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W25N01GWTBIGTR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25N01GWTBIG TR

W25N01GWTBIG TR概述


    产品简介


    W25N01GW是一款1Gb容量的串行单层NAND闪存芯片,隶属于Winbond公司的SpiFlash系列。它提供了适用于空间受限、引脚有限且功率需求较低系统的存储解决方案。W25N01GW集成了流行的SPI接口以及传统的大容量NAND非易失性存储空间。它可以用于代码阴影(code shadowing)、直接从Dual/Quad SPI执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据等多种应用。此款芯片可在1.70V至1.95V的单电源供电下运行,电流消耗最低为25mA(工作模式),待机状态仅为10μA。W25N01GW家族的所有产品均采用节省空间的封装,这在过去是难以实现的。

    技术参数


    - 容量:1Gb(1,073,741,824位)
    - 电压范围:1.70V到1.95V
    - 功耗:工作模式下的电流消耗最低为25mA,待机模式下的电流消耗仅为10μA
    - 页大小:每个页2,048字节
    - 总页数:65,536页
    - 擦除单元:每64个页为一个128KB的块,共有1,024个可擦除块
    - 接口:标准SPI,双通道/四通道I/O SPI
    - 封装形式:
    - WSON 8x6毫米封装
    - TFBGA 8x6毫米封装(两种不同尺寸的球阵列:5x5或6x4)

    产品特点和优势


    W25N01GW具备一系列优势,使其成为众多应用中的理想选择:
    - 大容量存储:提供高达1Gb的存储空间,适用于需要大量存储的应用场合。
    - 低功耗设计:极低的工作和待机功耗使得其非常适合于便携式设备和电池驱动设备。
    - 高效的操作:支持标准SPI和Dual/Quad I/O SPI接口,使得编程和数据读写更加高效。
    - 灵活的架构:每个页大小为2,048字节,可一次性编程,而多个页可以组成更大的擦除单元,便于管理和维护。

    应用案例和使用建议


    W25N01GW主要应用于嵌入式系统、物联网(IoT)设备、固态硬盘等领域。在这些应用中,它的高效存储能力、低功耗和灵活性为其提供了显著的竞争优势。以下是几条使用建议:
    - 在设计电路时,确保充分考虑该芯片的工作电压范围,并在系统设计上合理分配电源管理资源。
    - 利用Dual/Quad SPI接口的优势,实现更快的数据传输速度和更高的读写效率。
    - 使用片内坏块管理功能进行高效的错误检测和纠正,提升系统整体的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    W25N01GW与多种SPI主机控制器兼容,适用于广泛的应用场景。厂商提供了详尽的技术支持文档和开发工具,以帮助用户更好地理解和使用这款芯片。

    常见问题与解决方案


    | 常见问题 | 解决方案 |

    | 数据丢失 | 确保正确执行擦除操作,并定期备份数据 |
    | 编程失败 | 检查电压和信号完整性,确认芯片处于正确的操作状态 |
    | 设备无法启动 | 验证初始化配置和时序设置是否正确 |

    总结和推荐


    W25N01GW凭借其高容量、低功耗、高效的数据传输能力和广泛的兼容性,在嵌入式系统、物联网等领域具有很强的应用潜力。对于需要高性能存储解决方案的开发者来说,它是一个值得推荐的选择。无论是用于快速读取、大数据量存储还是代码执行,W25N01GW都是一个可靠且高效的解决方案。

W25N01GWTBIG TR参数

参数
组织 128 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 128MB
最大供电电流 35mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
通用封装 TFBGA-24
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25N01GWTBIG TR数据手册

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W25N01GWTBIG TR封装设计

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