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W947D2HBJX5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (4M x 32) 1.7V 1.95V 200MHz Parallel VFBGA-90 贴片安装
供应商型号: W947D2HBJX5I TR VFBGA-90(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR概述

    # 高性能128Mb移动低功耗双倍数据速率SDRAM技术手册

    产品简介


    W947D6HB / W947D2HB是一款高效率的128Mb低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM),专为移动应用设计。该芯片采用多内部银行架构,通过交错操作提高了并发性能。在选定行和列后,可以通过突发长度(BL)为2、4、8或16连续访问同一页面的内存位置。此外,随机列读取功能也允许在每个时钟周期内提供地址。系统通过编程模式寄存器可以优化突发长度、延迟周期及串联或顺序突发模式以实现最佳性能。W947D6HB / W947D2HB支持多种低功耗模式,例如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。
    主要特点
    - 工作电压范围:VDD = 1.7~1.95V,VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据宽度:x16 / x32
    - 时钟频率:200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75)
    - 支持部分阵列自刷新(PASR)
    - 自动温度补偿自刷新(ATCSR)
    - 功耗降低模式(Power Down Mode)
    - 深度功率下降模式(Deep Power Down Mode)
    - 可编程输出缓冲驱动强度
    - 四个内部银行用于并发操作
    - 数据掩码(DM)功能
    - 双倍数据速率输出
    - 差分时钟输入(CK 和 CK)
    - 支持LVCMOS兼容接口
    - 订单包:60球BGA(x16) 或 90球BGA(x32)
    应用领域
    W947D6HB / W947D2HB广泛应用于移动设备、消费电子产品、嵌入式系统等领域。

    技术参数


    电气特性
    | 参数 | 值 |

    | 工作电压范围 | 1.7~1.95V |
    | 数据宽度 | x16 / x32 |
    | 时钟频率 | 200MHz(-5), 166MHz(-6), 133MHz(-75) |
    | 刷新周期 | 64ms |
    输入/输出电容
    - 输入电容:约5pF
    - 输出电容:约5pF
    AC时序参数
    | 参数 | 值 |

    | CAS延迟 | 2和3 |
    | 突发长度 | 2, 4, 8和16 |
    | 突发类型 | 顺序或交错 |

    产品特点和优势


    W947D6HB / W947D2HB以其卓越的技术指标和多样化的特点在市场上占据一席之地。以下是其核心优势:
    1. 低功耗设计:支持多种低功耗模式,如部分阵列自刷新和深度功率下降模式,适合对能耗敏感的应用。
    2. 高性能:最高支持200MHz时钟频率,确保快速的数据传输速率。
    3. 多功能接口:提供双向数据选通信号(DQS),增强数据传输的可靠性和稳定性。
    4. 灵活配置:可通过模式寄存器设置多个参数,满足不同应用场景的需求。
    5. 耐用性强:宽泛的工作温度范围(工业级:-40°C至+85°C),适合严苛环境下的使用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    W947D6HB / W947D2HB常用于智能手机和平板电脑等移动设备中,用于存储操作系统、应用程序及其他关键数据。它还可以集成到便携式医疗设备、智能手表等小型电子装置中。
    使用建议
    - 在设计时需注意电源管理策略,充分利用其低功耗特性来延长电池寿命。
    - 配合高性能处理器使用可显著提升整体系统的运行效率。
    - 对于需要频繁刷新的数据存储任务,应合理规划刷新周期以避免数据丢失。

    兼容性和支持


    W947D6HB / W947D2HB支持多种封装形式,包括60球BGA(x16)和90球BGA(x32),便于不同平台的选择。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速完成产品开发并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 数据传输不稳定 | 检查电路连接是否正确 |
    | 温度过高 | 启用温度补偿自刷新功能 |
    | 初始化失败 | 重新检查初始化流程 |

    总结和推荐


    综上所述,W947D6HB / W947D2HB是一款功能强大且性能稳定的128Mb移动LPDDR SDRAM芯片。其卓越的低功耗表现、广泛的适用范围及高度灵活性使其成为移动设备的理想选择。我们强烈推荐此款产品给希望优化硬件设计以提高能效的企业和开发者。

    版权信息:本文内容基于原始材料整理而成,所有技术细节均来源于官方技术手册。

W947D2HBJX5I TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (4M x 32)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
通用封装 VFBGA-90
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W947D2HBJX5I TR数据手册

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W947D2HBJX5I TR封装设计

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