处理中...

首页  >  产品百科  >  W632GU8NB-09

W632GU8NB-09

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256Mx8 1.283V 210mA 1.45V 1.067GHz Parallel 8bit VFBGA-78 贴片安装
供应商型号: W632GU8NB-09 VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GU8NB-09

W632GU8NB-09概述

    # W632GU8NB DDR3L SDRAM 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    W632GU8NB 是一款高性能的 32M × 8 BANKS × 8 BIT DDR3L SDRAM(双倍速率同步动态随机存取存储器),专为需要高容量、高速度存储的设备设计。这款产品支持低功耗操作,非常适合嵌入式系统、图形处理设备、移动通信设备及服务器等领域。其容量高达 32MB,采用先进的工艺技术和卓越的设计,以满足现代电子设备对存储性能的需求。
    主要功能
    - 存储容量:32M × 8 BANKS × 8 BIT,提供大容量存储空间。
    - 低功耗设计:DDR3L 支持更低的工作电压(1.35V 或 1.5V),相较于标准 DDR3 节省了能耗。
    - 高性能接口:支持多种命令和模式寄存器,灵活配置存储器操作。
    - 宽泛的工作温度范围:适应工业级和消费级应用环境。
    应用领域
    W632GU8NB 广泛应用于嵌入式系统、工业控制、网络设备、消费电子、服务器和数据中心等需要高效能存储的场景。

    技术参数


    | 参数项 | 具体数值/描述 |

    | 存储容量 | 32M × 8 BANKS × 8 BIT |
    | 工作电压 | 1.35V / 1.5V |
    | 工作频率 | 支持 DDR3L-1333、DDR3L-1600 和 DDR3L-1866 |
    | 接口类型 | 数据宽度:8-bit |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +85°C(工业级) |
    | 引脚数量 | 176-ball BGA 封装 |
    | 技术标准 | 符合 JEDEC JESD79F DDR3L 标准 |
    支持的电气特性
    - 输入信号电压摆幅:单端信号 0.4V 至 2.3V;差分信号 VREF ± 10%。
    - 输出驱动能力:支持多种阻抗设置(RTTPU、RTTPD)。
    - 时钟信号:CK 和 CK#,差分对,支持 100MHz 至 200MHz 频率。
    工作环境
    - 供电电压:稳定运行于 1.35V 至 1.5V 之间。
    - 时序特性:严格符合 JEDEC 标准,提供精确的数据读写延迟和时序容限。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低功耗设计:采用 DDR3L 技术,降低工作电压至 1.35V,相比 DDR3 可减少 30% 的功耗。
    2. 灵活配置:支持多种模式寄存器(MR0 至 MR3),可针对不同应用场景进行个性化设置。
    3. 高可靠性:支持 ZQ 校准和动态 ODT 功能,确保信号完整性并提升抗干扰能力。
    市场竞争力
    - 在嵌入式设备和服务器市场中,W632GU8NB 提供了比同类 DDR3 产品更高的性价比和更长的使用寿命。
    - 其多样的工作模式和强大的纠错能力使其在关键任务系统中具有显著的优势。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. 工业自动化设备:用于实时数据存储和处理,如机器人控制系统和 CNC 设备。
    2. 服务器和数据中心:作为缓存存储器,支持快速响应和高吞吐量需求。
    3. 移动设备:适用于平板电脑和智能手机的高性能内存模块。
    使用建议
    - 根据具体应用场景选择合适的电源配置,优先考虑低功耗模式。
    - 在配置模式寄存器时,需根据实际时钟频率调整相关参数(如 CL、CWL),确保最佳性能。
    - 使用过程中需注意时序匹配,确保时钟、数据和地址信号同步。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 支持主流嵌入式处理器和控制器,能够无缝集成到现有的硬件平台中。
    - 提供详细的引脚定义和电气参数,便于 PCB 设计工程师快速完成布局。
    厂商支持
    - 提供详尽的技术文档和开发工具,包括数据手册、参考设计和开发套件。
    - 提供全面的售后支持和技术培训,帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 数据传输速度慢 | 检查时钟频率设置,确保符合产品支持的范围(100MHz 至 200MHz)。 |
    | 初始化失败 | 确保所有电源稳压且顺序正确,参照手册中的初始化流程。 |
    | 信号完整性较差 | 检查 PCB 设计,确保信号线长度均衡,避免串扰。 |

    总结和推荐


    综合评估
    W632GU8NB DDR3L SDRAM 凭借其强大的功能和高可靠性,成为嵌入式和高性能计算领域的理想选择。其低功耗设计和灵活的配置选项使其广泛适用于各种复杂应用场景。
    推荐结论
    强烈推荐 W632GU8NB 作为下一代存储解决方案的核心组件,尤其适合需要高性能、低功耗的设备。对于需要长生命周期和强抗干扰能力的应用场景,这款产品无疑是最佳选择。

W632GU8NB-09参数

参数
最大时钟频率 1.067GHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
组织 256Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
最大供电电流 210mA
通用封装 VFBGA-78
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W632GU8NB-09数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W632GU8NB-09 W632GU8NB-09数据手册

W632GU8NB-09封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
242+ ¥ 10.422
库存: 2420
起订量: 242 增量: 242
交货地:
最小起订量为:242
合计: ¥ 2522.12
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
78.C2GF4.4010B ¥ 1248.43
78.D1GMM.4010B ¥ 2193.9817
78.D2GF6.4010B ¥ 2512.8745
A3T2GF40CBF-HP ¥ 34.5943
A3T4GF40BBF-HP ¥ 25.7303
A4F08QD8BNWEME ¥ 533.3505
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 928.3476
AS4C16M16D2-25BINTR ¥ 40.0738
AS4C16M16S-7TCN ¥ 0
AS4C256M16D3LB-12BCNTR ¥ 93.1949