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W63CH2MBVABE TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 512MB 128 M x 32 933MHz 32bit 贴片安装
供应商型号: 454-W63CH2MBVABETR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W63CH2MBVABE TR

W63CH2MBVABE TR概述

    # 高质量电子元器件技术手册解析:W63CH2MBV/W63CH6MBV 4Gb LPDDR3

    产品简介


    W63CH2MBV/W63CH6MBV 是一款4Gb容量的低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR3)。它主要用于移动设备、嵌入式系统及其它对内存需求较高的应用场合。此款存储器具备高性能和低功耗的特点,能够显著提高系统的运行效率。

    技术参数


    主要规格
    - 容量:4Gb
    - 接口类型:LPDDR3
    - 数据传输率:最高可达1600Mbps
    - 工作电压范围:1.2V至1.35V
    性能参数
    - 数据线宽度:16位
    - 操作模式:单/双字节模式
    - 命令时序:详细见手册第7章
    电气特性
    - 输入泄漏电流:<1uA
    - 推荐工作温度范围:-40°C 至 +85°C
    工作环境
    - 存储温度范围:-55°C 至 +125°C

    产品特点和优势


    W63CH2MBV/W63CH6MBV 具有多个显著优势,如高速读写能力、高密度存储、低功耗和出色的热稳定性。这些特点使其成为适用于多种应用场景的理想选择,特别是在移动设备、嵌入式系统及数据中心等领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这款LPDDR3存储器广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备、以及需要大量数据处理的工业控制系统。例如,在智能手机中,它用于提升多任务处理能力和快速加载应用的速度。
    使用建议
    为了充分发挥其性能,建议在系统设计时考虑以下几点:
    - 确保电源稳定且符合规定的电压范围。
    - 正确配置引脚,以优化信号完整性。
    - 使用适当的散热措施,以确保在高温环境下正常工作。

    兼容性和支持


    W63CH2MBV/W63CH6MBV与市场上主流的处理器和其他外围设备高度兼容。此外,供应商提供详尽的技术支持文档,包括参考设计和开发工具,以帮助用户进行系统集成和调试。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 存储器不能正常初始化。
    2. 写入速度较慢。
    3. 设备过热。
    解决方案
    1. 确认供电电压和时序设置正确,重试初始化过程。
    2. 调整存储器的工作模式,优化写入命令序列。
    3. 使用散热片或风扇增加散热,避免长时间处于高温环境中。

    总结和推荐


    综上所述,W63CH2MBV/W63CH6MBV是一款性能卓越的4Gb LPDDR3存储器,具备高密度、高速度和低功耗的优点。它适合于多种高端应用场合,尤其在移动设备和工业控制领域表现出色。强烈推荐给需要高效能内存解决方案的设计者和开发者。
    希望上述解析对您的项目有所帮助!如果您有任何疑问或需要更多技术支持,请随时联系我们。

W63CH2MBVABE TR参数

参数
组织 128 M x 32
数据总线宽度 32bit
接口类型 -
存储容量 512MB
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级

W63CH2MBVABE TR数据手册

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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W63CH2MBVABE TR W63CH2MBVABE TR数据手册

W63CH2MBVABE TR封装设计

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