处理中...

首页  >  产品百科  >  W66BQ6NBUAGJ

W66BQ6NBUAGJ

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256MB 128Mx16 1.06V,1.7V 345mA 1.17V,1.95V 3.733GHz LVSTL_11 16bit
供应商型号: ZT-W66BQ6NBUAGJ
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W66BQ6NBUAGJ

W66BQ6NBUAGJ概述


    产品简介


    W66BQ6NB 和 W66CQ2NQ 是高性能的LPDDR4X(低功耗双倍数据速率4扩展)内存模块,提供2Gb和4Gb两种容量选项。这些内存模块专为需要高带宽和低功耗的应用而设计,广泛应用于智能手机、平板电脑、智能穿戴设备及嵌入式系统等领域。LPDDR4X架构使得这些产品能够在保证高速数据传输的同时,实现显著的能耗降低,非常适合移动设备对长续航的需求。

    技术参数


    - 容量:2Gb / 4Gb
    - 接口类型:LPDDR4X
    - 供电电压:标准工作电压1.8V
    - 工作频率:最高可达4266Mbps
    - 工作温度范围:-40°C 至 +85°C
    - 封装形式:WFBGA 200
    - 数据位宽度:16/32/64位
    - 电气特性:支持全速读写操作,延迟极低
    - 存储单元数:最多支持8个存储单元(Bank)
    - 模式寄存器:支持多寄存器定义(MR0-MR40),可根据需求灵活配置

    产品特点和优势


    W66BQ6NB 和 W66CQ2NQ 内存模块具有以下几个独特的功能和优势:
    - 低功耗:采用先进的电源管理技术,大幅降低了运行时的功耗,延长了设备的电池寿命。
    - 高带宽:支持高达4266Mbps的数据传输率,确保快速的数据读写能力。
    - 可靠性:具备完善的错误校正机制和多重冗余保护措施,确保数据安全稳定。
    - 可配置性强:通过多种模式寄存器定义,可以针对不同的应用场景进行灵活配置,提升系统整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    这些内存模块广泛应用于多种智能设备,例如智能手机和平板电脑。在智能手机中,W66BQ6NB 和 W66CQ2NQ 的高效能表现确保了系统运行的流畅度,提升了用户体验。在嵌入式系统中,它们提供了必要的存储支持,满足复杂计算任务的需求。
    使用建议
    - 散热管理:由于这些内存模块在高速运行时会产生热量,因此必须采取有效的散热措施,以避免过热现象的发生。
    - 布局优化:合理的电路板布局有助于提高信号完整性,从而减少读写错误的概率。
    - 测试与验证:进行严格的ATE(自动测试设备)测试,确保产品的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    W66BQ6NB 和 W66CQ2NQ 与市面上多数主流的处理器和控制器兼容,适用于各种应用环境。此外,厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括开发工具、软件驱动以及培训课程,帮助客户更快地完成产品的集成与调试。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确初始化内存模块?
    - 答:按照手册中的指引,首先确保电源稳定后进行复位初始化,随后按照顺序执行初始化命令。如果过程中出现错误,检查电源电压是否符合要求。
    2. 问:如何判断内存模块是否已正确连接?
    - 答:可以通过系统自检程序来检测内存模块的状态。如果自检未通过,则需要检查物理连接情况或重新设置模式寄存器。
    3. 问:在突发读取操作后如何处理延迟?
    - 答:依据手册中的规定,适当调整读取延迟参数(tLZ(DQS) 和 tHZ(DQS)),确保数据在预期的时间内到达。

    总结和推荐


    综上所述,W66BQ6NB 和 W66CQ2NQ 作为高性能的LPDDR4X内存模块,在带宽、低功耗、可靠性等方面表现出色,适合于各类高端移动设备和嵌入式系统应用。厂商提供的丰富技术支持和服务也极大地方便了客户的开发与集成过程。因此,对于需要高效率、低功耗存储解决方案的项目,我们强烈推荐使用W66BQ6NB 或 W66CQ2NQ 内存模块。

W66BQ6NBUAGJ参数

参数
数据总线宽度 16bit
接口类型 LVSTL_11
存储容量 256MB
最大供电电流 345mA
最大时钟频率 3.733GHz
最大工作供电电压 1.17V,1.95V
最小工作供电电压 1.06V,1.7V
组织 128Mx16
零件状态 在售
包装方式 托盘

W66BQ6NBUAGJ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W66BQ6NBUAGJ W66BQ6NBUAGJ数据手册

W66BQ6NBUAGJ封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.9591 ¥ 33.1774
库存: 0
起订量: 17 增量: 144
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
A3T2GF40CBF-HP ¥ 33.8169
A3T4GF40BBF-HP ¥ 39.4531
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 935.6359
AS4C128M8D3LA-12BIN ¥ 0
AS4C16M16MSA-6BIN ¥ 40.1668
AS4C16M32SC-7TIN ¥ 138.0705
AS4C2M32D1A-5BIN ¥ 29.9743
AS4C4M16SA-6TINTR ¥ 16.7637
AS4C4M32D1A-5BINTR ¥ 47.4315
AS4C64M16D2A-25BCNTR ¥ 49.3288