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W631GG6MB11I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1.425V 1.575V 933MHz Parallel 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W631GG6MB11I TR VFBGA-96(7.5X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG6MB11I TR

W631GG6MB11I TR概述

    W631GG6MB DDR3 SDRAM 技术手册解析

    产品简介


    W631GG6MB 是一款高性能的 8M × 8 BANKS × 16 BIT DDR3 SDRAM,专为需要高带宽和低功耗的应用而设计。其主要功能包括支持多种模式寄存器设置、动态ODT(On-Die Termination)以及自刷新等功能。这款产品广泛应用于嵌入式系统、图形处理单元(GPU)、服务器以及移动设备等领域。

    技术参数


    - 容量: 8M × 8 BANKS × 16 BIT
    - 时钟频率: 支持 DDR3-1333/1600/1866/2133MHz
    - 供电电压: 1.5V ± 0.075V
    - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
    - 输入输出特性: 支持单端和差分信号传输
    - 自刷新: 支持自动和部分数组自刷新
    - 写恢复时间: tWR = 15ns(典型值)

    产品特点和优势


    1. 高速性能: 最高支持 DDR3-2133MHz 的数据传输速率,满足高性能计算需求。
    2. 动态ODT支持: 可根据实际需求调整终端电阻值,提高信号完整性并降低功耗。
    3. 多重模式寄存器设置: 提供灵活的操作选项,如预充电延迟、写恢复时间和输出驱动阻抗控制等。
    4. 电源管理: 支持多种电源管理状态,如预充功率下降和深度自刷新,显著降低待机功耗。

    应用案例和使用建议


    - 嵌入式系统: 适用于实时数据处理和存储密集型应用,建议结合多任务调度算法以优化性能。
    - 服务器: 在多处理器环境中使用时,应考虑系统的散热管理和电源分配。
    - 移动设备: 考虑到便携性要求,建议使用节能模式如预充功率下降来延长电池寿命。

    兼容性和支持


    W631GG6MB DDR3 SDRAM 兼容主流 DDR3 接口标准,并且具有良好的热稳定性和电压适应性。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 初次上电初始化失败。
    - 解决方法: 确保按照手册中的步骤正确执行电源启动初始化序列。
    2. 问题: 数据传输错误。
    - 解决方法: 检查差分信号线路是否符合规定的阻抗匹配和偏差限制。
    3. 问题: 功耗过高。
    - 解决方法: 启用适当的电源管理功能如预充功率下降或深度自刷新。

    总结和推荐


    综上所述,W631GG6MB DDR3 SDRAM凭借其卓越的性能、灵活的配置选项以及全面的兼容性,在嵌入式系统、服务器和移动设备等领域表现出色。对于需要高性能存储解决方案的用户而言,这款产品无疑是一个值得推荐的选择。通过合理配置其各项参数,并遵循最佳实践指南,可以充分发挥其潜力,满足现代电子设备的需求。

W631GG6MB11I TR参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 -
数据总线宽度 -
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

W631GG6MB11I TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W631GG6MB11I TR W631GG6MB11I TR数据手册

W631GG6MB11I TR封装设计

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