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W632GG6NB-09 TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2 GBit 128 M x 16 1.425V 1.575V 1.066GHz SSTL_15 16bit VFBGA-96 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W632GG6NB-09 TR VFBGA-96(7.5X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG6NB-09 TR

W632GG6NB-09 TR概述

    # W632GG6NB DDR3 SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    W632GG6NB 是一款高性能的DDR3 SDRAM电子元器件,具备强大的数据处理能力和高效的存储性能。它采用了16M × 8 Banks × 16位的设计,广泛应用于高性能计算、嵌入式系统、服务器和消费类电子设备等领域。其核心功能是提供高速的数据读写能力,支持多种操作模式和配置选项,满足现代电子设备对高带宽和低延迟的需求。

    2. 技术参数


    以下是根据技术手册整理的详细技术规格和性能参数:
    | 参数类别 | 描述 |

    | 封装 | 球栅阵列封装(BGA) |
    | 容量 | 16M × 8 Banks × 16位 |
    | 工作电压 | 1.5V ± 0.075V |
    | 最大工作频率 | DDR3-2133 |
    | 接口类型 | 双倍数据速率(DDR) |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +85°C |
    | 功耗 | 动态功耗:1.5V × 电流(依频率变化) |
    | 引脚数量 | 137 个球 |
    电气特性
    - 支持动态自刷新(Self-Refresh)和部分阵列自刷新(Partial Array Self-Refresh, PASR)。
    - 支持动态终端电阻(Dynamic ODT)。
    - 支持ZQ校准,确保信号完整性。

    3. 产品特点和优势


    W632GG6NB 的主要特点和优势如下:
    1. 高性能:支持高达DDR3-2133的工作频率,数据传输速率显著提升。
    2. 高可靠性:通过ZQ校准实现精确的阻抗匹配,保证信号完整性。
    3. 低功耗设计:支持多种电源管理模式(如Power-Down),有效降低功耗。
    4. 灵活的操作模式:支持多种模式寄存器设置,满足不同应用场景需求。
    5. 广泛的兼容性:适用于主流处理器平台和嵌入式系统。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 服务器和工作站:用于大数据存储和高性能计算。
    2. 嵌入式系统:如医疗设备、工业控制和智能家电。
    3. 消费电子:如智能手机和平板电脑。
    使用建议
    - 在使用过程中,建议启用动态自刷新功能以减少功耗。
    - 配合专用控制器使用,以充分发挥其高速传输能力。
    - 注意电源管理设置,特别是在低功耗模式下,避免过热问题。

    5. 兼容性和支持


    W632GG6NB 具有良好的兼容性,可与主流处理器和控制器无缝连接。厂商提供全面的技术支持,包括硬件设计指南、软件开发工具包(SDK)和在线技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 数据传输不稳定 | 检查ZQ校准设置,调整阻抗匹配。 |
    | 功耗过高 | 启用Power-Down模式,优化电源管理。 |
    | 初始化失败 | 确保遵循正确的初始化流程并检查时序参数。 |

    7. 总结和推荐


    W632GG6NB 是一款高性能、低功耗的DDR3 SDRAM芯片,适合需要高速数据处理的应用场景。其出色的性能和灵活性使其在市场上具有很强的竞争力。如果您正在寻找一款能够满足现代电子设备高性能需求的内存解决方案,W632GG6NB 是一个值得推荐的选择。无论是服务器、嵌入式系统还是消费电子设备,这款产品都能提供卓越的支持和性能表现。

W632GG6NB-09 TR参数

参数
最大供电电流 -
最大时钟频率 1.066GHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 128 M x 16
数据总线宽度 16bit
接口类型 SSTL_15
存储容量 2 GBit
通用封装 VFBGA-96
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W632GG6NB-09 TR数据手册

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W632GG6NB-09 TR封装设计

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