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W971GG8SB25I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: Winbond SDRAM, 1Gbit内存, WBGA封装, 128M x 8 bit, 60引脚
供应商型号: 1882782
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W971GG8SB25I

W971GG8SB25I概述

    W971GG8SB DDR2 SDRAM 技术手册

    1. 产品简介


    W971GG8SB 是一款高性能的1GB容量DDR2 SDRAM芯片,其组织结构为16,777,216个字 × 8个银行 × 8位。该设备能够实现高达1066Mb/s/引脚的数据传输速率(DDR2-1066),适用于多种应用场合。W971GG8SB 被分为多个速度等级,包括-18、18I、18J、-25、25I、25J、-3 和 -3I,以适应不同的工作温度范围和性能需求。

    2. 技术参数


    - 供电电压: VDD, VDDQ = 1.8 V ± 0.1 V
    - 数据传输方式: 双倍数据率架构,在每个时钟周期内可进行两次数据传输
    - CAS延迟: 支持3、4、5、6和7
    - 突发长度: 支持4和8
    - 时钟输入: 差分时钟输入(CLK 和 CLK)
    - 数据掩码: 写入数据的数据掩码(DM)
    - 输入命令: 每个正时钟边沿进入命令,数据和数据掩码参考DQS的两个边沿
    - 读取延迟: 等于附加延迟加上CAS延迟(RL = AL + CL)
    - 输出驱动阻抗调整: Off-Chip-Driver(OCD)阻抗调整和On-Die-Termination(ODT),以提高信号质量
    - 自刷新和预充电操作: 支持自动预充电和自刷新模式
    - 电源模式: 预充电电源关闭和活动电源关闭模式
    - 接口: SSTL18 接口
    - 封装: WBGA 60球封装(8×12.5mm²)

    3. 产品特点和优势


    - 高性能: 达到1066Mb/s/引脚的数据传输速率,满足高速应用需求
    - 多级速度选择: 多种速度等级可供选择,以适应不同工作温度和性能要求
    - 高可靠性: 各个速度等级均经过严格的温度测试,确保在工业环境下稳定运行
    - 多功能性: 支持多种数据传输模式和功能,如自动预充电、自刷新等,提供高度灵活性

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例: W971GG8SB 主要应用于需要高速数据处理的领域,如高性能服务器、网络交换机、存储系统等
    - 使用建议: 在使用时需注意供电电压和时钟频率的匹配,确保最佳性能。此外,应考虑散热措施,避免高温对芯片寿命的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与标准DDR2内存接口兼容,能够与现有的各种DDR2控制器和系统无缝集成
    - 支持: 厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户快速掌握产品特性和应用方法

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 数据传输速率不稳定
    - 解决办法: 检查供电电压和时钟频率是否符合规范,重新配置数据掩码设置
    - 问题2: 高温环境下稳定性下降
    - 解决办法: 使用额外的散热措施,如散热片或散热风扇,确保工作温度在规定范围内
    - 问题3: 自刷新模式下出现异常
    - 解决办法: 确保自刷新命令执行正确无误,检查电源和时钟的稳定性

    7. 总结和推荐


    W971GG8SB DDR2 SDRAM 是一款具有高性能、多功能和高可靠性的内存芯片,适用于各种高速数据处理应用。该产品通过多种速度等级的选择,可以适应不同的工作环境和性能要求。总体而言,我们强烈推荐此产品用于需要高速数据处理的应用场合,尤其是那些对性能和可靠性有严格要求的领域。

W971GG8SB25I参数

参数
最小工作供电电压 1.7V
组织 128Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (128M x 8)
最大供电电流 110mA
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.9V
长*宽*高 12.5mm(长度)*8mm(宽度)
通用封装 WBGA
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

W971GG8SB25I数据手册

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W971GG8SB25I封装设计

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