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W988D2FBJX6E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 256Mb (8M x 32) 8Mx32 1.7V 75mA 1.95V 166MHz Parallel 32bit BGA 贴片安装,黏合安装 13mm*8mm*660μm
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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR概述

    电子元器件产品技术手册:Winbond 256Mb Low Power SDRAM

    1. 产品简介


    Winbond 256Mb Low Power SDRAM是一款低功耗同步存储器,含有268,435,456个内存单元,采用高性能制造工艺生产。它专为需要低功耗的应用而设计,例如2.5G/3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机以及其他便携式设备。该产品提供两种组织方式:2,097,152字×4行×32位或4,194,304字×4行×16位。它在全同步模式下运行,并且输出数据与系统时钟的上升沿同步,可达到高达166MHz的数据传输速率。此外,它还具备特殊低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。

    2. 技术参数


    - 电源电压:VDD = 1.7V~1.95V,VDDQ = 1.7V~1.95V
    - 频率:166MHz(-6),133MHz(-75)
    - 自刷新模式:标准自刷新模式
    - 部分阵列自刷新:可编程
    - 低功耗模式:电源关闭模式、深度电源关闭模式
    - 驱动强度:可编程输出缓冲驱动强度
    - 温度补偿:自动温度补偿自刷新
    - CAS延迟:2和3
    - 突发长度:1、2、4、8和全页
    - 刷新周期:64毫秒
    - 接口:LVCMOS
    - 封装:54球VFBGA (x16),90球VFBGA (x32)

    3. 产品特点和优势


    - 低功耗设计:特别适用于需要电池供电的应用。
    - 高集成度:多种组织方式,满足不同应用需求。
    - 高性能:高达166MHz的数据传输速率,支持多种工作频率。
    - 灵活配置:多种温度范围选项,适应不同工作环境。
    - 可靠性高:具备多种低功耗模式,确保长时间稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    Winbond 256Mb Low Power SDRAM广泛应用于移动设备、数字相机和其他便携式电子产品中。例如,在一款高端智能手机的设计中,使用此SDRAM可以显著提升系统的整体性能和续航能力。建议在选择该产品时,根据具体应用的需求选择合适的频率和温度范围。

    5. 兼容性和支持


    该产品兼容LVCMOS接口,并提供多种封装选择,包括54球VFBGA (x16)和90球VFBGA (x32)。Winbond公司提供了详尽的技术支持文档和在线资源,以帮助客户顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何正确设置Mode Register?
    - A:通过编程实现特定的突发长度和CAS延迟设置,确保读写操作的正确执行。
    - Q:如何进入Deep Power Down模式?
    - A:通过低电平信号使能CKE来进入Deep Power Down模式。
    - Q:如何进行自刷新操作?
    - A:发送Auto Refresh命令以启动自刷新过程,确保数据完整性。

    7. 总结和推荐


    Winbond 256Mb Low Power SDRAM凭借其低功耗设计、高数据传输速率以及丰富的功能配置,成为众多便携式电子设备的理想选择。无论是移动设备还是其他对功耗和性能有严格要求的应用场合,它都能发挥出色的性能表现。因此,强烈推荐使用这款高性能低功耗存储器产品。

W988D2FBJX6E TR参数

参数
最大时钟频率 166MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 8Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 Parallel
存储容量 256Mb (8M x 32)
最大供电电流 75mA
长*宽*高 13mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

W988D2FBJX6E TR数据手册

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