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W631GU6NB-11

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 933MHz Parallel VFBGA-96 贴片安装
供应商型号: ZT-W631GU6NB-11
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GU6NB-11

W631GU6NB-11概述

    W631GU6NB DDR3L SDRAM 技术手册概述

    产品简介


    W631GU6NB 是一款高性能的 8M × 8 Banks × 16-bit DDR3L SDRAM 存储器芯片。它采用了先进的设计技术,旨在满足高速数据传输和低功耗需求。这款芯片广泛应用于各种电子设备中,如移动设备、服务器、计算机系统、消费电子等。

    技术参数


    以下是 W631GU6NB 的关键技术和性能参数:
    - 容量: 8M × 8 Banks × 16-bit
    - 时钟频率: 支持 DDR3L-1333、DDR3L-1600 和 DDR3L-1866 速度等级
    - 工作电压: VDD = 1.35V (typical)
    - 工作温度范围: -40°C 到 +85°C
    - 工作电流:
    - IDD:最高 400mA(具体值根据速度等级有所不同)
    - IDDQ:静态电流通常为微安级
    - 接口信号:
    - 数据:16-bit
    - 地址:行地址和列地址
    - 控制信号:命令和控制信号
    - 时序参数:
    - CAS 延迟 (tCAS): 最小 5 个周期
    - 写恢复时间 (tWR): 15 个周期
    - 预充电延迟 (tRP): 15 个周期
    - 刷新周期 (tREFI): 每 7.8us

    产品特点和优势


    W631GU6NB 具备以下特点和优势:
    - 高带宽: 支持 DDR3L 标准,能够提供更高的数据传输速率,满足高速计算需求。
    - 低功耗: 采用 1.35V 供电电压,有效降低功耗。
    - 高可靠性: 支持多种刷新机制,确保数据的安全存储。
    - 兼容性强: 与多种平台和系统兼容,适用范围广。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 移动设备: 作为内存扩展模块,提高设备性能。
    - 服务器: 提供高速的数据缓存能力,增强系统响应速度。
    - 计算机系统: 加快数据读写操作,提升用户体验。
    使用建议
    - 电源管理: 确保稳定且符合规范的供电,以避免因电压波动导致的系统不稳定。
    - 散热设计: 在高温环境下使用时,需注意有效的散热措施,以防止过热损坏。
    - 信号完整性: 要求高速信号线路保持良好匹配和阻抗控制,以减少信号失真。

    兼容性和支持


    W631GU6NB 可与多种标准 DDR3L 接口兼容。制造商提供全面的技术支持和维护服务,包括详细的技术文档、开发工具和专业的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    - 问题: 刷新周期不正确。
    - 解决方案: 检查并调整 tREFI 参数设置,确保符合标准。
    - 问题: 数据读取错误。
    - 解决方案: 核查时序参数(如 tCAS、tWR 等),确保数据在正确的时序内被正确读取。
    - 问题: 功耗过高。
    - 解决方案: 重新检查电源管理策略,考虑减少工作频率或降低工作电压。

    总结和推荐


    W631GU6NB 是一款专为高性能要求而设计的 DDR3L SDRAM 芯片。凭借其高带宽、低功耗和高可靠性等特点,非常适合用于需要高速数据处理的应用场合。我们强烈推荐在需要高效率、高可靠性的应用场景中使用此款产品。

W631GU6NB-11参数

参数
最大工作供电电压 -
最小工作供电电压 -
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 -
最大供电电流 -
最大时钟频率 933MHz
通用封装 VFBGA-96
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W631GU6NB-11数据手册

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W631GU6NB-11封装设计

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