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W949D6DBHX5E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 512Mb (32M x 16) 1.7V 1.95V 200MHz Parallel VFBGA-60 贴片安装
供应商型号: 454-W949D6DBHX5ETR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W949D6DBHX5E TR

W949D6DBHX5E TR概述


    产品简介


    W949D6DB / W949D2DB 是一款高性能的低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)。这些器件主要用于移动设备,因其具备快速的数据访问速度和高效的电源管理能力。这类存储器通过突发模式操作来访问连续的内存位置,支持多个银行的并发操作,从而能够实现内部银行之间的交织以隐藏预充电时间。这种设计特别适合需要高速数据传输的应用,如移动设备中的多媒体处理、嵌入式系统中的缓存管理等。

    技术参数


    - 电压范围: VDD = 1.7~1.95V, VDDQ = 1.7~1.95V
    - 数据宽度: x16 / x32
    - 时钟频率: 200MHz (-5),166MHz (-6)
    - 刷新周期: 64 ms
    - CAS延迟: 2 和 3
    - 突发长度: 2, 4, 8 和 16
    - 突发类型: 顺序或交错
    - 接口: 兼容LVCMOS
    - 封装:
    - 60球VFBGA (x16)
    - 90球VFBGA (x32)
    - 工作温度范围: 工业级 (-40°C ~ +85°C),扩展级 (-25°C ~ +85°C)

    产品特点和优势


    1. 支持多种操作模式: 包括标准自刷新模式、部分阵列自刷新模式(PASR)、自动温度补偿自刷新模式(ATCSR)和深度掉电模式(DPD模式)。
    2. 高效率电源管理: 支持时钟停止功能,能够在空闲期间降低功耗。
    3. 可编程输出缓冲驱动强度: 可根据需要调整驱动强度,优化信号完整性。
    4. 并发操作: 四个内部银行支持并发操作,提高数据访问速度。
    5. 快速读写: 支持双倍数据率输出,显著提升数据传输速率。
    6. 灵活性强: 可通过设置模式寄存器来改变突发长度、延迟周期、顺序或交错突发方式,以最大化性能。

    应用案例和使用建议


    W949D6DB / W949D2DB 主要应用于移动设备、嵌入式系统和多媒体处理等领域。例如,在手机或平板电脑中,它可以作为主内存使用,提供快速的数据读写能力。为了充分利用其性能,建议:
    - 在启动时确保正确的初始化流程。
    - 根据实际应用需求选择合适的突发长度和延迟周期。
    - 合理利用其低功耗模式,尤其是在空闲状态下。

    兼容性和支持


    该产品支持LVCMOS接口,易于与多种微控制器和其他电子设备集成。制造商提供了详细的技术手册和支持文档,帮助用户解决安装和使用过程中可能遇到的问题。此外,还提供了一系列测试工具和软件开发套件,进一步简化开发过程。

    常见问题与解决方案


    1. 无法正确初始化
    - 检查供电电压是否在1.7~1.95V之间。
    - 确认所有控制信号连接正确。
    2. 数据传输错误
    - 检查数据线连接是否松动。
    - 重新配置突发长度和延迟周期。
    3. 功耗过高
    - 尝试开启深度掉电模式或部分阵列自刷新模式。
    - 确保时钟停止功能正确启用。

    总结和推荐


    W949D6DB / W949D2DB 是一款非常出色的移动LPDDR存储器,具备多项创新技术和强大的功能。其高效能、低功耗特性和丰富的功能使其成为众多应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能存储解决方案的设计者和工程师们。

W949D6DBHX5E TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 512Mb (32M x 16)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
通用封装 VFBGA-60
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W949D6DBHX5E TR数据手册

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W949D6DBHX5E TR封装设计

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