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W632GG8NB12I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256 M x 8 1.425V 1.575V 800MHz Parallel 8bit VFBGA-78 贴片安装
供应商型号: W632GG8NB12I VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG8NB12I

W632GG8NB12I概述


    产品简介


    W632GG8NB是一款32M × 8 Banks × 8 Bit DDR3 SDRAM,是高性能存储器解决方案的一部分。它具有高容量和高效的多银行架构,使其适用于各种需要快速数据访问的应用场景。主要功能包括支持多种模式寄存器设置、写入预处理、刷新操作、自刷新模式、动态ODT(On-Die Termination)等功能。这些特性使W632GG8NB成为需要高性能存储的设备的理想选择,广泛应用于嵌入式系统、服务器、图形卡等领域。

    技术参数


    - 容量: 32M × 8 Banks × 8 Bit
    - 速度: 支持DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866等多种速度等级
    - 接口: 1.5V VDD/VDDQ供电
    - 温度范围: -40°C 至 +85°C
    - 封装: FBGA (137-ball)
    - 功耗: 动态电流IDD最高可达1.5A
    - 工作频率: 最高支持1.866GHz
    - 时序参数: CL=9/10/11,CWL=6/7/8,tRCD=13/15/16ns

    产品特点和优势


    W632GG8NB的优势在于其高度可编程的模式寄存器,支持多种工作模式以适应不同的应用需求。例如,它可以实现低功耗模式下的电源管理,通过动态ODT(On-Die Termination)来减少信号反射,提高信号完整性。此外,该产品支持写入预处理和刷新操作,确保数据的一致性和可靠性。其强大的并行处理能力使得W632GG8NB非常适合高带宽应用场合。

    应用案例和使用建议


    W632GG8NB可以用于需要高速数据传输的应用,如高性能计算、图形处理、网络通信等。例如,在服务器环境中,它可以作为主存储器使用,提供快速的数据访问和处理能力。对于嵌入式系统,可以通过配置适当的模式寄存器来优化性能。建议在使用时,根据具体的应用需求调整时序参数,确保最佳的性能表现。

    兼容性和支持


    W632GG8NB与其他标准DDR3内存模块完全兼容,支持主流的PCB布局和连接方式。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括样品请求、设计指南和技术支持,帮助客户快速集成到其设计方案中。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 初始化过程中出现错误。
    - 解决方案: 检查电源电压是否符合要求,确保初始化命令序列正确无误。

    2. 问题: 数据读取不准确。
    - 解决方案: 确认时钟频率和模式寄存器配置是否匹配,检查数据路径上的阻抗匹配。
    3. 问题: 功耗过高。
    - 解决方案: 调整ODT设置,启用低功耗模式,适当降低工作频率。

    总结和推荐


    综上所述,W632GG8NB是一款功能强大且灵活的DDR3 SDRAM产品,具有出色的性能和广泛的适用性。无论是对于追求高性能还是低功耗的应用,它都能提供可靠的支持。因此,推荐在需要高性能存储解决方案的项目中使用此产品。

W632GG8NB12I参数

参数
最小工作供电电压 1.425V
组织 256 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
最大供电电流 -
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.575V
通用封装 VFBGA-78
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

W632GG8NB12I数据手册

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W632GG8NB12I封装设计

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