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W632GG8NB-15

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256 M x 8 1.425V 1.575V 667MHz Parallel 8bit VFBGA-78 贴片安装
供应商型号: W632GG8NB-15 VFBGA-78(8X10.5)
供应商: 期货订购
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GG8NB-15

W632GG8NB-15概述


    产品简介


    W632GG8NB是一款容量为32M × 8位的DDR3 SDRAM,由多个银行(BANKS)组成,设计用于高密度存储需求的应用场景。它支持多种编程模式和接口特性,广泛应用于计算机、服务器、嵌入式系统等领域。作为一款高性能存储芯片,它具备快速存取和低功耗的特点,是现代电子设备的重要组成部分。

    技术参数


    | 参数类别 | 参数值 |

    | 存储容量 | 32M × 8位 |
    | 工作电压 | 1.5V ± 0.075V |
    | 数据传输速率 | DDR3-1333、DDR3-1600、DDR3-1866 |
    | 工作温度范围 | -40°C 至 +85°C |
    | 引脚数 | 168球 |
    | 输入时钟频率 | 133 MHz 至 213 MHz |

    产品特点和优势


    1. 高速性能:支持DDR3标准,可实现高达1866Mbps的数据传输速率,适合高性能计算和存储需求。
    2. 多模式编程:提供多种模式寄存器设置(MR0至MR3),以适应不同应用场景。
    3. 低功耗设计:支持多种电源管理功能,如自刷新、预充电功率下降模式,有效降低能耗。
    4. 高可靠性:通过严格的电气特性和工作环境测试,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器内存条:W632GG8NB常用于构建高密度内存模块,满足大数据处理的需求。
    - 嵌入式系统:适用于对存储空间要求较高的嵌入式设备,例如工业控制和医疗设备。
    使用建议
    1. 在进行写操作时,确保数据设置时间满足tDS和数据保持时间满足tDH的要求。
    2. 在进入或退出自刷新模式时,遵循推荐的初始化序列以避免数据丢失。
    3. 配置适当的Odt值(输出驱动阻抗控制)以优化信号完整性。

    兼容性和支持


    W632GG8NB与其他主流DDR3控制器兼容,便于集成到现有硬件平台中。厂商提供详尽的技术文档和支持服务,包括固件更新、故障诊断工具和在线技术支持,以帮助客户快速部署和解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 检查供电电压和时序配置是否符合规范。 |
    | 数据传输不稳定 | 调整ODT值并重新校准ZQ引脚。 |
    | 自刷新过程中丢帧 | 确保时钟频率和刷新命令间隔正确。 |

    总结和推荐


    W632GG8NB凭借其卓越的性能、丰富的功能选项以及广泛的兼容性,成为数据中心、高性能计算和个人计算设备的理想选择。其强大的技术支持和详细的参考文献进一步提升了该产品的市场竞争力。综上所述,我们强烈推荐此款产品给需要高效能存储解决方案的用户群体。
    如果您正在寻找一款能够满足高性能存储需求的产品,并且希望获得优质的售后服务和技术支持,那么W632GG8NB将是您的最佳选择。

W632GG8NB-15参数

参数
最大供电电流 -
最大时钟频率 667MHz
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 256 M x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
通用封装 VFBGA-78
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W632GG8NB-15数据手册

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W632GG8NB-15封装设计

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