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W947D2HBJX5I

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (4M x 32) 1.7V 1.95V 200MHz Parallel VFBGA-90 贴片安装
供应商型号: W947D2HBJX5I VFBGA-90(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 240
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I概述


    产品简介


    W947D6HB / W947D2HB 是一款高性能的低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器(Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, LPDDR SDRAM)。这种存储器具有页内突发访问的能力,可以连续访问两个、四个、八个或十六个内存位置,当银行和行通过激活命令选定后。在突发操作中,列地址由内部计数器自动生成。此外,还支持随机列读取操作,可通过提供每个时钟周期的地址来实现。这款LPDDR SDRAM采用多银行架构,能够隐藏预充电时间,从而实现内部银行之间的交错操作。通过设置可编程模式寄存器,系统可以根据需要调整突发长度、延迟周期、交织或顺序突发以优化性能。该器件还支持部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)等特殊低功耗功能。
    主要功能:
    - 支持多种工作电压范围:VDD = 1.7~1.95V;VDDQ = 1.7~1.95V;
    - 数据宽度为x16/x32;
    - 时钟频率最高可达200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75);
    - 部分阵列自刷新(PASR);
    - 自动温度补偿自刷新(ATCSR);
    - 电源管理功能包括掉电模式和深度掉电模式(DPD模式);
    - 可编程输出缓冲驱动强度;
    - 四个内部银行支持并发操作;
    - 写数据的数据掩码(DM);
    - 在空闲期间具备时钟停止能力;
    - 每次突发访问都支持自动预充电选项;
    - 双倍数据速率的数据输出;
    - 差分时钟输入(CK和CK#);
    - 双向数据选通(DQS);
    - CAS延迟:2和3;
    - 突发长度:2、4、8和16;
    - 突发类型:顺序或交织;
    - 64ms刷新周期;
    - 接口兼容LVCMOS标准;
    - 支持两种封装形式:60球BGA(x16)和90球BGA(x32);
    - 工作温度范围:扩展级(-25°C至+85°C)和工业级(-40°C至+85°C)。

    技术参数


    | 参数类别 | 具体数值 |

    | 工作电压(VDD) | 1.7~1.95V |
    | 工作电压(VDDQ) | 1.7~1.95V |
    | 数据宽度 | x16/x32 |
    | 时钟频率 | 最高可达200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75) |
    | 部分阵列自刷新(PASR)| 支持 |
    | 自动温度补偿自刷新(ATCSR)| 支持 |
    | 掉电模式 | 支持 |
    | 深度掉电模式(DPD) | 支持 |
    | 输出缓冲驱动强度 | 可编程 |
    | 内部银行数量 | 四个 |
    | 写数据掩码(DM) | 支持 |
    | 空闲期间时钟停止 | 支持 |
    | 自动预充电 | 支持 |
    | 双倍数据速率输出 | 支持 |
    | 差分时钟输入 | CK和CK# |
    | 数据选通(DQS) | 双向 |
    | CAS延迟 | 2和3 |
    | 突发长度 | 2、4、8和16 |
    | 突发类型 | 顺序或交织 |
    | 刷新周期 | 64ms |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 多功能性:支持多种工作电压和频率,适用于不同的应用场景。
    - 高效能:通过设置模式寄存器,可以灵活调整突发长度、延迟周期等参数以提高性能。
    - 低功耗:具备部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)等功能,有效降低功耗。
    - 可靠性:支持多个内部银行并发操作,确保数据的安全性和稳定性。
    - 兼容性强:接口兼容LVCMOS标准,易于集成到现有系统中。
    产品优势:
    - 高性能:支持双倍数据速率输出,大幅提升数据传输速度。
    - 灵活性:可编程输出缓冲驱动强度,满足不同应用需求。
    - 安全性:自动预充电选项,减少误操作风险。
    - 经济性:多种封装形式可供选择,降低生产成本。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 移动设备:智能手机、平板电脑等便携式设备需要高性能和低功耗的存储器。
    - 嵌入式系统:如工业控制、医疗设备等对数据处理要求较高的场合。
    - 数字消费类产品:如数码相机、游戏机等。
    使用建议:
    - 根据具体应用需求选择合适的封装形式(60球BGA或90球BGA)。
    - 调整模式寄存器设置以优化系统性能。
    - 注意保持工作温度在规定的范围内,以确保最佳运行状态。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与现有的LVCMOS接口兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持多种封装形式,适应不同设计需求。
    支持:
    - 厂商提供详细的技术文档和技术支持服务,帮助客户快速上手并解决问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 设备启动异常 | 检查供电电压是否符合要求,重新初始化设备。 |
    | 数据传输不稳定 | 调整模式寄存器设置,优化数据传输参数。 |
    | 温度过高 | 确保良好的散热措施,避免长时间满负荷运行。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:W947D6HB / W947D2HB具备高性能、低功耗、多功能等特点,在移动设备和嵌入式系统中表现优异。
    - 推荐:对于需要高性能、低功耗且灵活性强的应用场景,强烈推荐使用W947D6HB / W947D2HB作为存储解决方案。它不仅能够满足当前的需求,还能在未来升级中提供足够的技术支持。

W947D2HBJX5I参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (4M x 32)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
数据总线宽度 -
通用封装 VFBGA-90
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W947D2HBJX5I数据手册

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W947D2HBJX5I封装设计

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