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W949D6DBHX5I TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 512Mb (32M x 16) 1.7V 1.95V 200MHz Parallel VFBGA-60 贴片安装
供应商型号: W949D6DBHX5I TR VFBGA-60(8X9)
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W949D6DBHX5I TR

W949D6DBHX5I TR概述


    产品简介


    产品名称:W949D6DB / W949D2DB
    产品类型:512Mb移动低功耗双倍数据速率同步动态随机存取内存(LPDDR SDRAM)
    这些存储器芯片被设计用于高性能、低功耗的应用场景,如移动设备、智能手机和平板电脑。它们采用1.7V至1.95V的电压范围运行,并支持高速读写操作,以满足现代移动设备对快速响应和低能耗的需求。

    技术参数


    | 参数类别 | 具体内容 |

    | 电压范围 | VDD = 1.7~1.95V,VDDQ = 1.7~1.95V |
    | 数据宽度 | x16 或 x32 |
    | 时钟频率 | 200MHz (-5),166MHz (-6) |
    | 功能模式 | 标准自刷新模式、部分阵列自刷新(PASR)、自动温度补偿自刷新(ATCSR)、待机模式、深功率下电模式 |
    | 输出缓冲驱动强度 | 可编程 |
    | 刷新周期 | 64ms |
    | 引脚配置 | 60球VFBGA(x16),90球VFBGA(x32) |

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    1. 低功耗设计:多种低功耗模式(如部分阵列自刷新和自动温度补偿自刷新)确保设备长时间稳定运行。
    2. 高速读写能力:支持200MHz的时钟频率,提供高带宽和快速响应。
    3. 多银行结构:四个内部银行支持并发操作,提高系统效率。
    4. 可编程输出驱动强度:根据应用需求调节输出强度,实现最佳信号完整性。
    5. 兼容LVCMOS接口:与主流平台兼容,便于集成。
    6. 宽工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)和扩展级(-25°C 至 +85°C)适应各种环境。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 移动设备:智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
    - 消费电子产品:智能手表、健康监测设备等。
    使用建议:
    - 在选择芯片型号时,根据应用的具体时钟频率和工作温度范围进行选择。
    - 使用部分阵列自刷新功能可进一步降低功耗,适用于待机状态频繁切换的场景。
    - 结合外部电路设计,确保信号完整性,提高读写速度。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持LVCMOS接口,兼容大多数主流平台。
    - 封装形式包括60球VFBGA(x16)和90球VFBGA(x32),方便在各种设备上集成。
    支持和服务:
    - 提供详细的技术文档和参考资料,帮助用户快速掌握产品使用方法。
    - 厂商提供技术支持服务,包括咨询、故障诊断和解决方案。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致设备无法正常工作 | 确认是否启用自动温度补偿自刷新模式,检查散热措施是否到位。 |
    | 数据传输错误 | 检查电源电压是否稳定,确认数据宽度配置正确。 |
    | 刷新周期不准确 | 确认刷新周期设置符合要求,检查是否有其他组件干扰刷新操作。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:低功耗、高可靠性、多银行结构、广泛的工作温度范围,以及出色的兼容性和易用性。
    - 缺点:相对较高的成本和复杂的初始化流程。
    推荐:
    - 推荐在需要高性能、低功耗且具备良好散热条件的移动设备和消费电子产品中使用。对于需要长期稳定运行的应用,尤其是需要承受极端温度变化的场合,这款存储器芯片是理想的选择。

W949D6DBHX5I TR参数

参数
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 512Mb (32M x 16)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
通用封装 VFBGA-60
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W949D6DBHX5I TR数据手册

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W949D6DBHX5I TR封装设计

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