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W25Q128JVSIM TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (16M x 8) 2.7V 25mA 3.6V 133MHz DTR,QPI,SPI-Quad I/O SOIC-8 贴片安装
供应商型号: W25Q128JVSIM TR
供应商: Arrow
标准整包数: 2000
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q128JVSIM TR

W25Q128JVSIM TR概述

    W25Q128JV-DTR 128M-Bit Serial Flash Memory 技术手册

    1. 产品简介


    W25Q128JV-DTR 是一款128M位串行闪存(Serial Flash)内存芯片,专为需要有限空间、引脚和电源的应用设计。该系列提供了超越普通串行闪存设备的灵活性和性能,适用于代码影子到RAM、直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。此设备支持标准串行外设接口(SPI)、双/四路I/O SPI、四路周边接口(QPI)以及双倍传输速率(DTR),具有低功耗的特点,在待机状态下仅需1μA的电流消耗。该芯片提供多种封装选择,以适应不同的应用需求。

    2. 技术参数


    电气特性
    - 供电电压范围: 2.7V 至 3.6V
    - 最大工作频率: 133MHz (SPI),266/532MHz (Dual/Quad SPI)
    - 连续读取模式下的最大数据传输率: 66MB/s
    - 擦写次数: 每个扇区不少于100,000次
    - 数据保持时间: 超过20年
    - 存储容量: 128M位 / 16M字节
    操作条件
    - 工作温度范围: 工业级(-40°C 至 +85°C)
    时序特性
    - 电源上电/下电时序要求
    - 输入/输出时序
    封装
    - SOIC 208-mil 封装
    - WSON 6x5-mm 封装
    - WSON 8x6-mm 封装
    - SOIC 300-mil 封装
    - TFBGA 8x6-mm 封装

    3. 产品特点和优势


    W25Q128JV-DTR 具有多项独特的功能和优势:
    - 高性能: 支持高达133MHz的单通道SPI时钟,和相当于266/532MHz的双通道/四通道SPI。
    - 高效“连续读取”模式: 在连续读取模式下,仅需8个时钟周期即可寻址内存,允许真正的XIP(执行在原处)操作。
    - 灵活的数据保护机制: 支持顶部/底部阵列控制的可编程写保护,进一步增强数据安全。
    - JEDEC标准制造商及设备ID、64位唯一序列号和三组256字节的安全寄存器,增加了设备的可识别性和安全性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 代码存储与执行: 用于嵌入式系统中的代码存储与直接执行。
    - 数据存储: 适合各种需要快速数据存取的应用,如存储传感器数据或配置信息。
    - 设备ID和安全注册管理: 通过支持JEDEC标准制造商及设备ID和安全寄存器,确保设备的唯一性和数据安全性。
    使用建议:
    - 在实现连续读取模式时,可以考虑使用Wrap模式(8/16/32/64字节)来提高效率。
    - 针对不同应用需求,可以选择合适的封装形式,以节省空间并方便安装。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该设备支持标准SPI、双通道/四通道SPI和四通道周边接口(QPI),与其他同类设备相比具备较高的兼容性。
    - 支持DTR(双倍传输速率)模式的读取指令,提高了数据传输速度。
    支持和维护:
    - 提供全面的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该设备。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 如何设置写保护?
    - 解决方案: 使用特定的写保护指令(例如:Write Status Register-1, 01h),将相应的保护位设置为1。
    问题2: 如何进入/退出QPI模式?
    - 解决方案: 使用Enter QPI Mode指令(38h)进入QPI模式;使用Exit QPI Mode指令(FFh)退出QPI模式。
    问题3: 如何读取唯一的序列号?
    - 解决方案: 使用Read Unique ID Number指令(4Bh)进行读取。

    7. 总结和推荐


    W25Q128JV-DTR 是一款性能卓越、应用广泛的串行闪存芯片,具备高性能的连续读取模式、丰富的数据保护功能以及良好的兼容性。针对不同的应用场景,用户可以通过选择合适的封装形式和模式来充分发挥其性能。强烈推荐在需要高性能串行闪存的项目中使用该设备。

W25Q128JVSIM TR参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 DTR,QPI,SPI-Quad I/O
存储容量 128Mb (16M x 8)
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q128JVSIM TR数据手册

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W25Q128JVSIM TR封装设计

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4000+ ¥ 9.8921
6000+ ¥ 9.7927
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