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W631GG6KB-12

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 1Gb (64M x 16) 64Mx16 1.425V 280mA 1.575V 800MHz Parallel 16bit BGA 贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W631GG6KB-12

W631GG6KB-12概述

    W631GG6KB DDR3 SDRAM 技术手册

    1. 产品简介


    W631GG6KB 是一款高性能的 8M × 8 Banks × 16 Bit DDR3 SDRAM 存储器。该产品主要用于高速存储应用,广泛应用于嵌入式系统、网络设备、服务器等领域。它提供了强大的性能和高可靠性,是现代电子设计中的理想选择。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 规格值 |

    | 容量 | 8M × 8 Banks × 16 Bit |
    | 工作电压 | 1.5V ± 0.075V |
    | 频率范围 | DDR3-1333 / DDR3-1600 / DDR3-1866 |
    | 操作温度范围 | -40°C ~ +85°C |
    | 输入输出电平 | VDDQ = VDD = 1.5V |
    | 功耗 | IDD max @ fMAX = 2.4A |
    | 引脚数 | 168 Ball Grid Array |

    3. 产品特点和优势


    - 高速性能:支持 DDR3-1333、DDR3-1600 和 DDR3-1866 多种频率,确保数据传输速率高达 1600Mbps。
    - 宽温范围:能够在 -40°C 到 +85°C 的极端环境下稳定运行。
    - 低功耗:采用先进的电源管理技术,降低整体功耗。
    - 强大兼容性:支持多种操作模式,如自刷新、部分阵列自刷新等,满足不同应用需求。
    - 高可靠性:通过严格的电气测试,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    W631GG6KB 广泛应用于多种应用场景,如:
    - 嵌入式系统:适用于需要高速存储的应用,如工业控制、医疗设备等。
    - 网络设备:用于路由器、交换机等设备,提供高速缓存功能。
    - 服务器:适用于数据中心,支持大量数据处理和存储需求。
    使用建议:
    - 在选择电源和接地时,确保它们具有足够的电流承载能力和低阻抗,以避免电压波动。
    - 使用高速信号线时,应尽量缩短走线长度,并注意匹配阻抗以减少反射。
    - 在进行 ZQ 校准时,应遵循手册中提供的详细步骤,以确保校准准确无误。

    5. 兼容性和支持


    W631GG6KB 与大多数主流的 DDR3 接口标准兼容,可以轻松集成到现有系统中。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,包括在线文档、用户论坛和技术支持热线等,确保用户能够顺利使用产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 检查电源电压是否符合要求,重新进行初始化序列。 |
    | 数据读写错误 | 确认所有输入信号(地址、命令)是否正确,检查是否有信号干扰。 |
    | 功耗过高 | 调整电源管理设置,关闭不必要的电源通道。 |

    7. 总结和推荐


    W631GG6KB 是一款性能卓越、功能全面的 DDR3 SDRAM 存储器。它不仅具备出色的性能和稳定性,还拥有广泛的适用性和高度的兼容性。无论是对于高端嵌入式系统还是大规模数据中心,这款产品都是极佳的选择。强烈推荐用户选用 W631GG6KB,以提升系统的整体性能和可靠性。

W631GG6KB-12参数

参数
最大工作供电电压 1.575V
最小工作供电电压 1.425V
组织 64Mx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Gb (64M x 16)
最大供电电流 280mA
最大时钟频率 800MHz
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 托盘

W631GG6KB-12数据手册

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W631GG6KB-12封装设计

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