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W25Q80DVSSIG-TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 8Mb (1M x 8) 2.7V 25mA 3.6V 104MHz SPI-Quad I/O SOIC-8 贴片安装
供应商型号: ZT-W25Q80DVSSIG-TR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q80DVSSIG-TR

W25Q80DVSSIG-TR概述

    W25Q80DV/DL 8M-Bit Serial Flash Memory

    1. 产品简介


    W25Q80DV/DL 是一款8兆位(1兆字节)的串行闪存存储器,专为系统空间有限、引脚数有限且功率需求低的应用而设计。它提供了超过普通串行闪存设备的灵活性和性能,非常适合用于代码阴影、直接执行(XIP)、存储语音、文本和数据。W25Q80DV/DL的工作电压范围为2.7V至3.6V,而W25Q80DL的工作电压范围为2.3V至3.6V,两者都具有超低功耗(低至1μA待机电流)。

    2. 技术参数


    - 存储容量:8兆位(1兆字节)
    - 电压范围:
    - W25Q80DV:2.7V 至 3.6V
    - W25Q80DL:2.3V 至 3.6V
    - 工作温度范围:广泛
    - 功耗:待机电流≤1μA
    - I/O接口:支持标准、双输出和四输出串行外设接口(SPI)
    - 传输速率:
    - W25Q80DV:104MHz 双/四通道 SPI 时钟
    - W25Q80DL:80MHz 双/四通道 SPI 时钟
    - 编程擦除:支持4KB、32KB 和 64KB 块擦除

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:支持高达104MHz的双/四通道SPI时钟,有效传输速率可达208MHz(双通道)和416MHz(四通道)。
    - 灵活架构:每个块和扇区都可以独立编程和擦除,支持多种擦除模式。
    - 安全特性:提供软件和硬件写保护,支持顶部/底部保护和互补数组保护。
    - 识别功能:每个设备都有64位唯一序列号。
    - 低功耗:最低待机电流仅为1μA,适合电池供电设备。
    - 小封装:提供多种封装选择,包括SOIC、VSOP、WSON和WLCSP,以适应不同的设计需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 代码阴影:可以将代码从串行闪存读取到RAM并直接执行,适用于需要高效启动的应用。
    - 数据存储:适用于存储语音、文本和数据,特别是在物联网设备中。
    - 工业控制:在恶劣环境下保持稳定的存储性能,支持广泛的温度范围。
    - 建议:在实际应用中,可以根据具体的性能需求选择不同型号的芯片(W25Q80DV 或 W25Q80DL)。同时,在电路设计时需注意电源管理和信号完整性问题,确保SPI通信的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:W25Q80DV/DL 支持标准SPI协议,并兼容大多数主流微控制器和处理器。
    - 技术支持:Winbond 提供详细的文档和技术支持,包括软件工具、参考设计和样片供应。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何启用写保护?
    - A: 通过 /WP 引脚设置为高电平来启用写保护。
    - Q: 在读取数据时发现速度较慢怎么办?
    - A: 尝试使用高速 SPI 模式,如双/四通道模式,以提高数据传输速度。
    - Q: 如何擦除整个芯片?
    - A: 发送“Chip Erase”指令(06h 或 60h),以擦除整个芯片中的数据。

    7. 总结和推荐


    W25Q80DV/DL 是一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,具有灵活的架构和强大的安全性。适用于各种嵌入式系统、工业控制和物联网应用。其多样化的封装选择和广泛的温度范围使其成为理想的选择。强烈推荐在需要高效、可靠存储解决方案的项目中使用。
    以上是关于 W25Q80DV/DL 8兆位串行闪存存储器的技术手册摘要,希望能为您的项目提供有价值的参考。

W25Q80DVSSIG-TR参数

参数
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 8Mb (1M x 8)
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q80DVSSIG-TR数据手册

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W25Q80DVSSIG-TR封装设计

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