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W9464G6KH-5

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 64Mb (4M x 16) 4Mx16 2.3V 110mA 2.7V 200MHz Parallel 16bit TSOP-66 贴片安装 22.22mm*10.16mm*1mm
供应商型号: W9464G6KH-5-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W9464G6KH-5

W9464G6KH-5概述

    # W9464G6KH DDR SDRAM 技术手册解析

    1. 产品简介


    W9464G6KH 是一款高性能的双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),采用CMOS工艺制造。其基本组织形式为 1M × 4 Banks × 16 Bits,每秒可提供高达 400M 数据带宽。该产品支持两种速度等级:-5 和 -5I。其中,-5I 等级可在极端温度范围(-40°C 至 85°C)下运行,符合个人计算机工业标准,适用于各种高要求的应用场景。
    主要功能:
    - 支持多银行(4 Banks)操作。
    - 双倍数据速率架构,每个时钟周期传输两次数据。
    - 支持多种CAS延迟(CL = 2, 2.5, 3)。
    - 提供多种突发长度(BL = 2, 4, 8)。
    应用领域:
    - 符合 DDR400 标准,适合高性能计算、图形处理等领域。
    - 用于需要大容量存储且对速度有严格要求的应用场景。

    2. 技术参数


    以下是 W9464G6KH 的关键技术和电气参数:
    | 参数名称 | 描述 | 最小值 | 最大值 |
    ||
    | tCK | 时钟周期时间 | 5 ns | 10 ns |
    | tRAS | 激活到预充电命令周期 | 40 ns
    | tRC | 激活到刷新/激活命令周期 | 55 ns
    | IDD0 | 单个银行活动-预充电操作电流 45 mA |
    | IDD1 | 单个银行活动-读取-预充电电流 55 mA |
    | IDD2F | 预充电浮动待机电流 25 mA |
    | IDD2Q | 预充电静默待机电流 25 mA |
    | IDD4R | 突发操作读取电流 100 mA |
    | IDD4W | 突发操作写入电流 95 mA |
    | IDD5 | 自动刷新电流 60 mA |
    | IDD6 | 自刷新电流 2 mA |
    - 电压范围:2.5V ± 0.2V
    - 支持频率:最高可达 200 MHz
    - 封装方式:TSOP II 66-pin
    - 工作温度:商业级(0°C 至 70°C),工业级(-40°C 至 85°C)

    3. 产品特点和优势


    W9464G6KH 具备以下显著特点和优势:
    - 高性能:支持 DDR400 标准,提供 200 MHz 的时钟频率。
    - 灵活性强:通过编程模式寄存器可以调整突发长度、延迟周期等,以满足不同应用需求。
    - 低功耗:多种电源管理模式(如预充电空闲模式、活动空闲模式)有效降低能耗。
    - 可靠性强:工业级版本(-5I)支持宽温范围,适合恶劣环境下的稳定运行。
    - 接口标准:遵循 SSTL2 接口规范,确保良好的信号完整性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 嵌入式系统:如网络路由器、交换机等设备,需要快速响应并处理大量数据。
    2. 图形处理:适用于显卡或其他需要高带宽内存的场景。
    3. 存储扩展:在服务器和工作站中作为辅助存储器,提高整体性能。
    使用建议:
    - 在低温或高温环境中使用时,优先选择工业级版本(-5I)。
    - 根据具体应用场景设置合适的 CAS 延迟和突发长度。
    - 配置时需注意参考电压(VREF)设置,确保输入信号质量。

    5. 兼容性和支持


    W9464G6KH 兼容主流 DDR SDRAM 设计标准,与其他同类芯片具有良好的互操作性。厂商提供完善的文档和技术支持,包括:
    - 详尽的产品手册。
    - 示例代码及测试工具。
    - 客户服务和技术培训。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始上电后无法正常工作 | 检查时序配置是否正确,执行完整初始化流程。 |
    | 功耗超出预期 | 检查电源电压是否在规定范围内,启用低功耗模式。 |
    | 写入数据出现错误 | 检查地址总线和控制信号连接是否正确。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    W9464G6KH 是一款高度集成且性能卓越的 DDR SDRAM,具有优异的稳定性和可靠性。其强大的功能组合使其成为高要求应用的理想选择。特别是工业级版本(-5I)在宽温环境下表现出色,非常适合苛刻的工作条件。
    推荐结论:
    强烈推荐 W9464G6KH 用于需要高带宽、高稳定性的应用场景。无论是消费电子产品还是企业级设备,该产品都能提供出色的性能支持。然而,在选择时需根据具体需求权衡商业级与工业级版本的成本效益比。

W9464G6KH-5参数

参数
接口类型 Parallel
存储容量 64Mb (4M x 16)
最大供电电流 110mA
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 2.7V
最小工作供电电压 2.3V
组织 4Mx16
数据总线宽度 16bit
长*宽*高 22.22mm*10.16mm*1mm
通用封装 TSOP-66
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W9464G6KH-5数据手册

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W9464G6KH-5封装设计

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1+ $ 1.5295 ¥ 12.9243
10+ $ 1.2776 ¥ 10.7961
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