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W25Q80DVSNIG TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 8Mb (1M x 8) 2.7V 25mA 3.6V 104MHz SPI-Quad I/O SOIC-8 贴片安装,黏合安装
供应商型号: NA-W25Q80DVSNIG TR
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q80DVSNIG TR

W25Q80DVSNIG TR概述

    W25Q80DV Serial Flash Memory

    1. 产品简介


    W25Q80DV 是一款由Winbond生产的8兆位(8M-bit)串行闪存存储器。它主要用于系统空间有限、引脚数量受限且功率消耗敏感的应用场景。这款器件特别适合于代码影子复制到RAM、直接从双四通道SPI(XIP)执行代码,以及存储语音、文本和数据等操作。此外,它的灵活性和性能远远超过一般的串行闪存设备,使其成为多种应用的理想选择。

    2. 技术参数


    - 容量:8M-bit/1M-byte
    - 页大小:每页256字节
    - 标准SPI接口:CLK、/CS、DI、DO、/WP、/Hold
    - 双SPI接口:CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
    - 四SPI接口:CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
    - 时钟频率:最高支持104MHz,对应的双四通道I/O时钟为208/416MHz
    - 连续数据传输率:高达50MB/S
    - 电压范围:2.7V至3.6V
    - 功耗:低至1µA(待机状态)
    - 数据保留:大于20年

    3. 产品特点和优势


    - 高性能:支持104MHz双/四SPI时钟,提供卓越的数据传输速度。
    - 灵活架构:提供均匀的4KB扇区和32KB/64KB块擦除选项,使得数据和参数存储更加灵活。
    - 低功耗:单电源供电,工作电压范围为2.7V至3.6V,功耗极低。
    - 安全性:支持软件和硬件写保护,可以设置写保护部分内存。
    - 宽温度范围:适用于各种工作环境。
    - 封装类型多样:提供多种封装选择,以适应不同的安装需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 代码执行:适用于直接从SPI总线执行代码,减少系统启动时间。
    - 数据存储:可用于存储大量数据,例如传感器数据记录。
    - 空间受限的应用:由于采用紧凑型封装,非常适合空间受限的应用。
    使用建议:
    - 确保供电电压在2.7V至3.6V之间,避免电压波动导致的数据错误。
    - 在进行编程或擦除操作前,确保所有必要的引脚正确配置并接收到指令。
    - 为了提高系统的稳定性和可靠性,可以考虑结合其他外围设备进行测试和验证。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持标准SPI、双SPI和四SPI接口,与多种MCU和其他SPI设备兼容。
    - 技术支持:Winbond提供了详细的技术手册和支持文档,用户可以从中获取详细的使用指导和技术支持信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:设备无法正常初始化。
    - 解决方案:检查供电电压是否符合要求,确保/CS引脚信号正常。
    - 问题:数据读取不准确。
    - 解决方案:检查时钟频率设置是否正确,确保SPI通信无误。
    - 问题:设备频繁重启。
    - 解决方案:检查是否开启了看门狗定时器,适当调整定时器周期。

    7. 总结和推荐


    W25Q80DV 是一款高性能、低功耗的串行闪存器件,非常适合于需要高效数据存储和传输的应用。它的灵活性和稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高度可靠的数据存储解决方案的应用场景,我们强烈推荐使用此产品。此外,Winbond提供的详尽技术支持也是选择该产品的重要原因之一。总体来说,W25Q80DV是一款值得信赖的选择。

W25Q80DVSNIG TR参数

参数
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 8Mb (1M x 8)
最大供电电流 25mA
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
5mm(Max)
4mm(Max)
1.5mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q80DVSNIG TR数据手册

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W25Q80DVSNIG TR封装设计

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