处理中...

首页  >  产品百科  >  W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (4M x 32) 1.7V 1.95V 200MHz Parallel VFBGA-90 贴片安装
供应商型号: W947D2HBJX5E VFBGA-90(8X13)
供应商: 期货订购
标准整包数: 240
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E概述

    # W947D6HB/W947D2HB 128Mb Mobile LPDDR 技术综述

    产品简介


    W947D6HB 和 W947D2HB 是由Winbond推出的高性能低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)。该系列产品容量为128Mb,采用先进的制造工艺以提供优异的性能和低功耗特性。作为移动设备的理想选择,这些器件广泛应用于智能手机、平板电脑、便携式计算设备及嵌入式系统中。
    产品支持的数据宽度为x16/x32,时钟频率可达200MHz(-5),166MHz(-6),133MHz(-75)。凭借其多通道内部架构,可以实现高效的数据吞吐量,并通过多种模式寄存器设置优化系统的性能表现。

    技术参数


    以下是W947D6HB/W947D2HB的主要技术规格:
    | 参数 | 描述 |

    | 工作电压 | VDD:1.7~1.95V |
    | 数据宽度 | x16 或 x32 |
    | 时钟频率 | 200MHz(-5), 166MHz(-6), 133MHz(-75) |
    | 部分阵列自刷新(PASR)| 支持 |
    | 自动温度补偿自刷新(ATCSR)| 支持 |
    | 输出驱动强度 | 可编程 |
    | 刷新周期 | 64ms |
    | 操作温度范围 | 工业级:-40°C ~ +85°C |

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 部分阵列自刷新(PASR):减少非活动区域的功耗。
    2. 自动温度补偿自刷新(ATCSR):确保在不同温度条件下保持数据完整性。
    3. 双倍数据速率输出:相比单倍数据速率,数据传输效率提升一倍。
    4. 多银行并发操作:四个内部银行支持同时进行读写操作。
    5. 深功率下降模式(DPD):进一步降低待机功耗。
    市场竞争力
    W947D6HB/W947D2HB以其高性价比和低功耗特性,在移动计算和消费电子领域具有显著优势。特别是在需要长时间续航和紧凑空间设计的应用场景中,这些器件能够满足苛刻的需求。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景
    - 智能手机和平板电脑:用于主存储器,支持高频次数据访问。
    - 嵌入式系统:如工业控制设备、医疗监测仪器等,需稳定可靠的数据处理能力。
    - 便携式设备:如智能手表、便携游戏机等,对功耗和体积要求极高。
    使用建议
    1. 初始化阶段:严格按照初始化流程执行,确保每个步骤符合规范。
    2. 数据完整性保护:启用PASR和ATCSR功能,避免因温度变化导致的数据丢失。
    3. 电源管理:根据实际负载合理配置电源参数,最大限度减少能耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    W947D6HB/W947D2HB与标准LVCMOS接口兼容,便于集成到现有系统中。其封装形式包括60球BGA(x16)和90球BGA(x32),方便客户选择合适的型号。
    支持服务
    制造商提供了详尽的技术文档和支持资源,涵盖产品规格书、设计指南及测试工具下载。如有疑问,可联系官方技术支持团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 初始化失败 | 确认时序和电压设置正确 |
    | 功耗过高 | 检查是否启用了PASR和DPD模式 |
    | 数据传输错误 | 校验地址和命令序列 |

    总结和推荐


    产品评价
    W947D6HB/W947D2HB是一款集高性能、低功耗于一体的LPDDR存储器,特别适合于现代移动设备和嵌入式系统的应用需求。其丰富的功能组合和广泛的温度适应性使其在市场上具备强大的竞争力。
    推荐理由
    对于追求高效能且注重节能的项目而言,W947D6HB/W947D2HB无疑是最佳选择之一。无论是从技术指标还是实际应用来看,它都展现了卓越的表现力。因此,强烈推荐给正在寻找此类存储解决方案的设计工程师们!

W947D2HBJX5E参数

参数
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (4M x 32)
最大供电电流 -
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 -
通用封装 VFBGA-90
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W947D2HBJX5E数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) WINBOND/台湾华邦 W947D2HBJX5E W947D2HBJX5E数据手册

W947D2HBJX5E封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
240+ ¥ 9.45
库存: 2400
起订量: 240 增量: 240
交货地:
最小起订量为:240
合计: ¥ 2268
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
78.C2GF4.4010B ¥ 1248.43
78.D1GMM.4010B ¥ 2193.9817
78.D2GF6.4010B ¥ 2512.8745
A3T2GF40CBF-HP ¥ 34.5943
A3T4GF40BBF-HP ¥ 25.7303
A4F08QD8BNWEME ¥ 533.3505
AQD-D4U8GR24-HE ¥ 928.3476
AS4C16M16D2-25BINTR ¥ 40.0738
AS4C16M16S-7TCN ¥ 0
AS4C256M16D3LB-12BCNTR ¥ 93.1949