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W25Q64JVSFIM TR

产品分类: 闪存(Flash)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 64Mb (8M x 8) 2.7V 3.6V 133MHz SPI-Quad I/O SOIC-16 贴片安装,黏合安装
供应商型号: W25Q64JVSFIM TR SOIC-16-300MIL
供应商: 期货订购
标准整包数: 1000
WINBOND/台湾华邦 闪存(Flash) W25Q64JVSFIM TR

W25Q64JVSFIM TR概述


    产品简介


    W25Q64JV是一款高性能的64兆位串行闪存存储器,由Winbond公司设计制造。该器件适用于空间受限且对电源和引脚数有严格要求的系统。它能够执行多种操作,如代码阴影复制(代码复制到RAM)、直接从双/四通道SPI(XIP)执行代码,以及存储语音、文本和数据。W25Q64JV以其出色的灵活性和高性能,成为理想的存储解决方案,广泛应用于嵌入式系统和物联网设备中。

    技术参数


    - 工作电压范围:2.7V至3.6V
    - 电流消耗:在休眠模式下,电流消耗低至1μA
    - 温度范围:-40°C至+85°C(工作范围),-40°C至+105°C(存储范围)
    - 时钟频率:高达133MHz(单通道),266MHz(双通道),532MHz(四通道)
    - 编程擦除周期:每个扇区至少100,000次
    - 数据保留时间:超过20年
    - 扇区组织:32,768个可编程页面,每个页面为256字节
    - 扇区/块擦除:4KB/32KB/64KB
    - 支持的指令:标准SPI、双通道SPI、四通道SPI

    产品特点和优势


    W25Q64JV具有多项独特的优势,使其在市场上脱颖而出:
    - 高性能:最高支持133MHz的单通道时钟,以及266MHz和532MHz的双通道和四通道时钟。
    - 灵活的架构:采用4KB小扇区组织,提供更高的数据灵活性和参数存储能力。
    - 高级安全功能:软件和硬件写保护、特殊的OTP保护、阵列顶部/底部及补码保护、单独扇区/块阵列保护、64位唯一ID号和可发现参数寄存器。
    - 低功耗:休眠模式下的电流消耗低至1μA,适合电池供电的应用。
    - 广泛的封装选择:提供8引脚SOIC 208mil、8引脚WSON 6x5mm/8x6mm、16引脚SOIC 300mil、8引脚XSON 4x4mm、24球TFBGA 8x6mm(6x4/5x5球阵列)和12球WLCSP等封装选项。

    应用案例和使用建议


    W25Q64JV因其高灵活性和高性能,在多种应用场景中表现出色。例如,它可以用于物联网设备的数据存储,也可以作为微控制器的代码存储器。在实际应用中,用户可以利用其支持的多种SPI模式,根据具体需求选择最合适的配置。
    使用建议:
    1. 在需要频繁读取数据的应用中,推荐使用Quad SPI模式以获得更高的数据传输速率。
    2. 确保正确配置写保护和安全功能,以防止意外的数据损坏。
    3. 在极端温度条件下使用时,确保设备处于额定的工作范围内。

    兼容性和支持


    W25Q64JV支持多种封装和接口配置,以适应不同的应用需求。制造商提供了全面的技术支持和服务,包括文档下载、在线论坛和技术咨询服务,确保用户能够充分利用该器件的功能和性能。

    常见问题与解决方案


    问题1:设备在休眠模式下电流消耗过大。
    解决方案:检查电路设计,确保正确的休眠模式配置和引脚连接。
    问题2:在进行多次擦除/编程操作后,数据丢失严重。
    解决方案:检查是否有正确的写保护措施,并确保器件的操作次数不超过规定限度。
    问题3:设备无法正常响应SPI命令。
    解决方案:确认SPI引脚的配置和连接无误,并重新初始化设备。

    总结和推荐


    总体来看,W25Q64JV是一款非常出色的串行闪存存储器,具备出色的性能、高度的灵活性和先进的安全特性。特别是在需要高效能和高可靠性的应用场景中,它表现尤为突出。因此,我强烈推荐使用W25Q64JV来满足各种存储需求。

W25Q64JVSFIM TR参数

参数
最大时钟频率 133MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
组织 -
数据总线宽度 -
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 64Mb (8M x 8)
最大供电电流 -
通用封装 SOIC-16
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25Q64JVSFIM TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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W25Q64JVSFIM TR封装设计

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