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W632GU8NB-12

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 2Gb (256M x 8) 256Mx8 1.283V 170mA 1.45V 800MHz Parallel 8bit VFBGA 贴片安装
供应商型号: NA-W632GU8NB-12
供应商: 海外现货
标准整包数: 242
WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W632GU8NB-12

W632GU8NB-12概述


    产品简介


    W632GU8NB 是一款高性能的DDR3L SDRAM存储芯片,具备32M x 8位的数据宽度和8个Bank。这款产品主要用于各种需要高速、大容量存储的应用领域,如服务器、工作站、网络通信设备以及高端消费电子产品。

    技术参数


    - 存储容量:32M x 8位
    - 数据宽度:8位
    - Banks数量:8
    - 工作频率:支持DDR3L-1333/1600/1866
    - 供电电压:1.35V(低功耗模式)
    - 操作温度范围:-40°C至+85°C
    - 接口信号:单端地址和控制信号,差分时钟(CK-CK#)和数据选通信号(DQS-DQS#)
    - 刷新周期:64毫秒
    - 其他特性:支持写恢复时间调整、预充电功率下降模式、自刷新、动态ODT等

    产品特点和优势


    1. 高容量与高速度:具备32M x 8位的数据宽度和8个Bank,能提供高密度存储解决方案。
    2. 低功耗设计:采用1.35V供电电压,有效降低能耗。
    3. 宽工作温度范围:-40°C至+85°C的温度范围,确保在严苛环境下的稳定运行。
    4. 多样化的操作模式:支持多种操作模式如自刷新、功率下降模式等,灵活适应不同应用场景。
    5. 高性能输入输出信号处理:单端和差分信号设计,支持高性能通信。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和工作站:用于缓存频繁访问的数据,提升系统响应速度。
    - 网络通信设备:处理大量并发请求,保证数据传输的高效性。
    - 高端消费电子产品:如游戏机、智能电视等,满足高带宽和低延迟需求。
    使用建议
    - 在系统设计时,应充分考虑电源管理和散热设计,以保证长时间稳定运行。
    - 调整相关配置参数,如写恢复时间(tWR)、预充电功率下降时间(tCCD)等,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:W632GU8NB支持标准的DDR3L接口,可以与市面上多数主流处理器和控制器兼容。
    - 支持与维护:厂商提供详细的开发文档和技术支持,有助于快速集成和调试。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 频繁重启 | 检查电源管理设置,确保电压稳定。 |
    | 数据读取错误 | 确认ODT配置正确,检查电路连接。 |
    | 存储容量不足 | 升级到更高容量版本的DDR3L SDRAM。 |

    总结和推荐


    W632GU8NB是一款高性能的DDR3L SDRAM存储芯片,具备高容量、高速度和低功耗的特点,广泛应用于服务器、工作站和网络通信设备等高性能应用场合。产品支持多种操作模式,具有良好的兼容性和技术支持。鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,我们强烈推荐此产品给需要高性能存储解决方案的用户。

W632GU8NB-12参数

参数
组织 256Mx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 Parallel
存储容量 2Gb (256M x 8)
最大供电电流 170mA
最大时钟频率 800MHz
最大工作供电电压 1.45V
最小工作供电电压 1.283V
通用封装 VFBGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

W632GU8NB-12数据手册

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W632GU8NB-12封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
242+ $ 3.078 ¥ 26.5939
1210+ $ 2.6676 ¥ 23.0481
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