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W947D2HBJX5E TR

产品分类: 动态随机存储器(DRAM)
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128Mb (4M x 32) 4Mx32 1.7V 55mA 1.95V 200MHz Parallel 32bit BGA 贴片安装 13mm*8mm*660μm
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WINBOND/台湾华邦 动态随机存储器(DRAM) W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR概述

    W947D6HB / W947D2HB 128Mb Mobile LPDDR 技术手册

    1. 产品简介


    W947D6HB / W947D2HB 是一款高带宽的低功耗双倍数据速率同步动态随机存取存储器(Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory, LPDDR SDRAM)。它通过突发方式访问内存,当一个行被激活时,可以连续读取同一页面内的两个到十六个连续内存位置。这种设计允许内部银行之间的交错操作,从而隐藏预充电时间。通过设置可编程模式寄存器,系统可以调整突发长度、延迟周期、交织或顺序突发以最大化性能。此外,该器件还支持特殊的低功耗功能,如部分数组自刷新(Partial Array Self-Refresh, PASR)和自动温度补偿自刷新(Automatic Temperature Compensated Self-Refresh, ATCSR)。

    2. 技术参数


    - 供电电压: VDD = 1.7~1.95V
    - 数据宽度: x16 / x32
    - 时钟速率: 200MHz(-5), 166MHz(-6), 133MHz(-75)
    - 输入输出电容:
    - 电气特性: 见《8. 电气特性》章节
    - IDD 规格参数: 见《8.4 IDD 规格参数和测试条件》章节
    - AC 定时: 见《8.5 AC 定时》章节

    3. 产品特点和优势


    - 低功耗: 支持多种低功耗模式,如部分数组自刷新和自动温度补偿自刷新。
    - 高性能: 数据传输速率高,可达到200MHz。
    - 灵活性: 支持可编程模式寄存器,能够调整突发长度和延迟周期。
    - 多银行操作: 内部四个银行支持并发操作,提高系统性能。
    - 兼容性: 兼容LVCMOS接口,支持多种封装形式。

    4. 应用案例和使用建议


    W947D6HB / W947D2HB 主要应用于移动设备,如智能手机和平板电脑,以及其他需要高带宽低功耗存储器的应用。在实际使用中,应注意以下几点:
    - 在设置模式寄存器时,根据具体需求选择合适的突发长度和延迟周期。
    - 使用部分数组自刷新和自动温度补偿自刷新功能来延长电池寿命并保持数据完整性。
    - 注意时钟信号的稳定性,避免时钟频率过高导致数据传输错误。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 与各种LVCMOS兼容的接口和设备兼容。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和售后服务,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 数据传输不稳定
    - 解决方案: 检查电源电压是否在规定范围内,确认时钟信号稳定。
    - 问题: 自刷新模式下数据丢失
    - 解决方案: 确保启用了自动温度补偿自刷新功能。

    7. 总结和推荐


    W947D6HB / W947D2HB 是一款高性能、低功耗的LPDDR存储器,特别适合于移动设备和其他对带宽要求高的应用场合。其独特的功能如部分数组自刷新和自动温度补偿自刷新使其在市场上具有较强的竞争力。我们强烈推荐使用这款产品,特别是在追求高效能和低功耗的应用环境中。

W947D2HBJX5E TR参数

参数
最大供电电流 55mA
最大时钟频率 200MHz
最大工作供电电压 1.95V
最小工作供电电压 1.7V
组织 4Mx32
数据总线宽度 32bit
接口类型 Parallel
存储容量 128Mb (4M x 32)
长*宽*高 13mm*8mm*660μm
通用封装 BGA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

W947D2HBJX5E TR数据手册

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W947D2HBJX5E TR封装设计

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