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W25N01GVTCIT TR

产品分类: 其他存储器
厂牌: WINBOND/台湾华邦
产品描述: 128MB 2.7V 3.6V 104MHz SPI-Quad I/O 8bit TFBGA-24 贴片安装,黏合安装
供应商型号: 454-W25N01GVTCITTR
供应商: Mouser
标准整包数: 1
WINBOND/台湾华邦 其他存储器 W25N01GVTCIT TR

W25N01GVTCIT TR概述

    W25N01GVxxxG/T/R 1G-Bit Serial SLC NAND Flash Memory 技术手册

    产品简介


    W25N01GVxxxG/T/R 是一款高性能的1 Gbit串行单层单元(SLC)NAND闪存芯片。该产品采用双/四SPI接口,具有缓冲读取和连续读取功能,适用于需要高密度存储和高速数据传输的应用场景。W25N01GVxxxG/T/R 支持标准SPI、双SPI、四SPI等多种操作模式,适合于嵌入式系统、工业控制、物联网设备等领域。

    技术参数


    以下是W25N01GVxxxG/T/R 的关键技术参数:
    - 存储容量: 1 Gbit
    - 电压范围: 3 V
    - 封装类型: WSON 8x6-mm, SOIC 300-mil, TFBGA 8x6-mm (5x5或6x4球阵列)
    - 工作温度范围: -40°C 至 +85°C
    - 绝对最大额定值:
    - 最大Vcc: 4.5 V
    - 最大Vpp: 12 V
    - 操作温度范围: -40°C 至 +85°C
    - 电源上电/下电时间要求:
    - 上电时间: ≤ 1 ms
    - 下电时间: ≤ 1 ms

    产品特点和优势


    1. 高密度存储: 1 Gbit的存储容量,非常适合需要大量数据存储的应用。
    2. 高速传输: 支持标准SPI、双SPI和四SPI,最高传输速率可达104 MHz。
    3. 缓冲读取和连续读取: 提升数据访问效率,减少等待时间。
    4. 宽温工作范围: -40°C 至 +85°C,适用于各种恶劣环境。
    5. 写保护和坏块管理: 高效的数据保护机制,确保数据安全。
    6. 多种封装选择: WSON、SOIC、TFBGA多种封装,便于不同设计需求。

    应用案例和使用建议


    W25N01GVxxxG/T/R 在许多领域都有广泛应用,例如:
    - 嵌入式系统: 用于存储固件、配置文件等。
    - 工业控制: 用于记录传感器数据和控制信息。
    - 物联网设备: 存储传感器数据和网络通信数据。
    使用建议:
    - 电源管理: 确保电源稳定,避免电压波动导致数据错误。
    - 坏块管理: 定期进行坏块检测,及时更换故障部件。
    - 写保护: 在不必要时启用写保护功能,防止意外数据修改。

    兼容性和支持


    W25N01GVxxxG/T/R 与大多数标准SPI控制器兼容。芯科实验室提供了详尽的技术文档和全面的支持服务,包括开发工具、参考设计和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 读取速度慢。
    - 解决方案: 检查电源电压和频率设置,确保达到104 MHz的最大传输速率。
    2. 问题: 写入失败。
    - 解决方案: 检查坏块管理状态,确保没有坏块影响写入操作。
    3. 问题: 数据校验出错。
    - 解决方案: 启用ECC校验功能,提高数据可靠性。

    总结和推荐


    综上所述,W25N01GVxxxG/T/R 是一款高性能、高可靠性的1 Gbit串行SLC NAND闪存芯片。其具备高密度存储、高速传输、宽温工作范围等优势,在多种应用场景中表现卓越。我们强烈推荐在需要高性能存储的嵌入式系统和工业控制领域中使用该产品。

W25N01GVTCIT TR参数

参数
接口类型 SPI-Quad I/O
存储容量 128MB
最大时钟频率 104MHz
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 2.7V
数据总线宽度 8bit
通用封装 TFBGA-24
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

W25N01GVTCIT TR数据手册

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W25N01GVTCIT TR封装设计

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