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IRF9Z34PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 18 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-IRF9Z34PBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) IRF9Z34PBF

IRF9Z34PBF概述

    IRF9Z34, SiHF9Z34 P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRF9Z34 和 SiHF9Z34 是 Vishay Siliconix 生产的第三代高性能 P-通道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们以其快速开关、坚固的设计、低导通电阻和高成本效益而著称。这些 MOSFET 适用于商业和工业应用,广泛用于电源管理和电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 基本特性:
    - 动态 dV/dt 额定值
    - 可重复雪崩额定值
    - 工作温度范围:-55 °C 到 +175 °C
    - 快速开关时间
    - 并联驱动简单
    - 驱动要求简单

    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS):-60 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):-2.0 V 至 -4.0 V
    - 栅源漏电 (IGSS):±100 nA
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):-10 V 时为 0.14 Ω
    - 总栅极电荷 (Qg):最大 34 nC
    - 栅源电荷 (Qgs):9.9 nC
    - 栅极到漏极电荷 (Qgd):16 nC
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS):-60 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 持续漏电流 (ID):TC = 25 °C 时为 -18 A;TC = 100 °C 时为 -13 A
    - 脉冲漏电流 (IDM):-72 A
    - 最大功耗 (PD):25 °C 时为 88 W
    - 热阻抗:
    - 最大结到外壳电阻 (RthJA):62 °C/W
    - 最大结到壳体电阻 (RthJC):1.7 °C/W

    3. 产品特点和优势


    - 动态 dV/dt 额定值:确保高瞬态电压下的稳定性能。
    - 可重复雪崩额定值:适用于需要反复承受高压脉冲的应用。
    - 宽温度范围:能够在极端温度环境下稳定工作,适用于工业和汽车应用。
    - 快速开关:适用于高频电路设计。
    - 并联驱动简单:便于实现多级驱动。
    - 低导通电阻:降低能耗,提高效率。
    - 简单驱动要求:简化电路设计,降低成本。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:适用于直流/直流转换器、电源逆变器等应用。
    - 电机控制:适用于各种类型的电动机驱动。
    - 汽车电子:适用于发动机控制单元、车灯控制系统等。
    使用建议:
    - 确保电路中的电容和电感布局合理,以减少寄生效应。
    - 使用散热良好的封装,以保证长期稳定运行。
    - 在设计驱动电路时,考虑适当的栅极电阻和驱动电压,以确保可靠的开关操作。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与 Vishay 的其他 MOSFET 产品兼容,可以方便地替换现有设计中的组件。
    - 支持:Vishay 提供详尽的技术文档和支持服务,包括产品选择指南、应用笔记和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:在高频率应用中,MOSFET 温度升高较快。
    - 解决方案:增加散热片,改善散热条件,使用更高散热效率的封装。
    问题2:开关过程中出现异常噪声。
    - 解决方案:检查电路中的寄生电感和电容,确保布线合理,减少寄生效应。
    问题3:在高温环境下,MOSFET 寿命缩短。
    - 解决方案:选择更高温耐受等级的产品,或者采取外部冷却措施。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IRF9Z34 和 SiHF9Z34 是 Vishay Siliconix 生产的高性能 P-通道功率 MOSFET。这些器件以其快速开关、坚固耐用的设计、低导通电阻和高可靠性著称。适用于广泛的工业和汽车应用,具有优异的性价比。
    推荐:
    我们强烈推荐 IRF9Z34 和 SiHF9Z34 用于需要高可靠性和高性能的电力管理系统中。这些器件在多个应用场景中表现出色,能够显著提升系统的整体性能。

IRF9Z34PBF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 140mΩ@ 11A,10V
Id-连续漏极电流 18A
通道数量 1
最大功率耗散 88W(Tc)
配置 独立式
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.1nF@25V
栅极电荷 34nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.41mm*4.7mm*15.49mm
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

IRF9Z34PBF厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

IRF9Z34PBF数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY IRF9Z34PBF IRF9Z34PBF数据手册

IRF9Z34PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.4963 ¥ 4.1586
357+ $ 0.4913 ¥ 4.1167
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